凝集構造制御によるTiN/Si_3N_4焼結体の機械, 電気特性の最適化(第2報) : 顆粒径の影響
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概要
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Agglomerates of Si_3N_4 and TiN were co-sintered to fabricate a TiN/Si_3N_4 ceramic displayed a duplex microstructure. The agglomerates-microstructure-controlled material(A)showed electrical conductivity at a lower TiN content(9.8 vol%)than the theoretical value of a material with a nonuniform microstructure. This is because the ratio of R_<TiN>(radius of TiN agglomerates)to R_<SN>(radius of Si_3N_4 agglomerates)was 8, causing TiN agglomerates to be arranged around large Si_3N_4 agglomerates. It is concluded that the lower critical volume % for conductivity of this material resulted from the formation of a network of TiN spherical agglomerates with a smaller amount of additive.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1998-01-01
著者
-
宗像 文男
日産総研
-
広崎 尚登
物質・材料研究機構物質研究所
-
広崎 尚登
日産自動車(株)
-
秋宗 淑雄
産業技術総合研究所
-
宗像 文男
日産自動車(株)材料研究所
-
秋宗 淑雄
日産自動車(株)総合研究所
-
岡本 裕介
ファインセラミックス技術研究組合シナジーセラミックス研究所
-
岡本 裕介
シナジー研
-
宗像 文男
日産自動車
-
秋宗 淑雄
日産自動車(株)
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