BaPbO_3膜上へのPb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3膜の低温合成とその誘電特性
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概要
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Bilayer films of Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3 [PMN]/BaPbO_3[BPO] were fabricated on MgO (100) substrates by metallo-organic deposition (MOD) method. PMN films crystallized to a perovskite structure by firing above 450℃ on BPO. A broad peak at around-10℃ was observed in the temperature dependence of the dielectric constant of the PMN film fabricated from a solution containing 20 mol% Pb excess and fired at 600℃. The PMN film showed a P-E hysteresis loop with a remanent polarization, P_r=0.03 C/m^2 and a coercive field, E_c=5 MV/m at -45℃, despite a very narrow hysteresis loop at room temperature.
- 2000-03-01
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