7p-A-13 ストレスをかけた場合のGeのESR-Sbの場合
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
CdSeのphotosensitive ESR : イオン結晶・光物性
-
CdSeのESR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
-
CdSのPhotosensitive centerのENDOR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
-
CdSのPhotosensitive E. S. R. : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
-
II-VI化合物の photosensitive ESR
-
10a-L-8 CdSのphotosensitive ESR II
-
歪をかけた半導体のESR : 半導体における歪効果シンポジウム
-
CdSのphotosensitive ESR : 光物性
-
CdSのshallow trapとdeep trapのESR(光物性)
-
Geのg-shiftとeffective massのストレス効果(半導体(スピンレゾナンス))
-
n-Geの不純物伝導領域におけるESR(半導体(マイクロ波))
-
7p-A-13 ストレスをかけた場合のGeのESR-Sbの場合
-
7p-A-12 ストレスをかけた場合のGeのESR-Pの場合
-
半導体における格子欠陥のESRによる研究
-
鉄族イオンESRへのストレス効果 : 磁気共鳴
-
CdS内不純物のESR : 光物性
-
Stressをかけた場合のGeのESR II P, Asの場合 : 半導体
-
Stressをかけた場合のGeのESR-I (Sbの場合) : 半導体
-
Geの4ミリ波サイクロトロン共鳴 : 半導体
-
12a-M-8 Cd^のヤーン・テラー効果とESR
-
おわりに(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
-
結晶成長(技術者のために : 第XVIII回)
-
CdTeのフォトルミネッセンス : 光物性・イオン結晶
-
ZnS:Cu+AlのPhotosesnsitive ESR : 光物性・イオン結晶
-
低温におけるCdS:Feの光伝導 : イオン結晶・光物性
-
CdTeのDiode発光 : 半導体 : 輸送
-
N.Bloembergen: Nuclear Magnetic Relaxation, W.A. Benjamin, Inc., New York 1961, 178頁, 15.5×23cm, \900.
-
CdSの不純物伝導(半導体(マイクロ波))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク