CdSのphotosensitive ESR : 光物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-03-31
著者
関連論文
- CdSeのphotosensitive ESR : イオン結晶・光物性
- CdSeのESR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- CdSのPhotosensitive centerのENDOR : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- CdSのPhotosensitive E. S. R. : イオン結晶光物性 : ESR,螢光体
- II-VI化合物の photosensitive ESR
- 10a-L-8 CdSのphotosensitive ESR II
- 歪をかけた半導体のESR : 半導体における歪効果シンポジウム
- CdSのphotosensitive ESR : 光物性
- CdSのshallow trapとdeep trapのESR(光物性)
- Geのg-shiftとeffective massのストレス効果(半導体(スピンレゾナンス))
- n-Geの不純物伝導領域におけるESR(半導体(マイクロ波))
- 7p-A-13 ストレスをかけた場合のGeのESR-Sbの場合
- 7p-A-12 ストレスをかけた場合のGeのESR-Pの場合
- 半導体における格子欠陥のESRによる研究
- 鉄族イオンESRへのストレス効果 : 磁気共鳴
- CdS内不純物のESR : 光物性
- Stressをかけた場合のGeのESR II P, Asの場合 : 半導体
- Stressをかけた場合のGeのESR-I (Sbの場合) : 半導体
- Geの4ミリ波サイクロトロン共鳴 : 半導体
- 12a-M-8 Cd^のヤーン・テラー効果とESR