3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1954-11-02
著者
関連論文
- 2a-E-6 三角格子反強磁性体LiNiO_2のNMR
- III. 話題 : 三角格子反強磁性体のESR (三角格子反強磁性体の相転移と秩序相)
- 2p-G-7 Ce_Nd_xAgの磁気相図と磁気構造
- 5a-L-1 金属間化合物半導体の物理
- 8p-M-4 Bi_2Se_3の電流磁場効果
- 8p-M-3 タリウム・セレナイドの電気的性質
- SbをドープしたSnSeの電気的性質 : XX. 半導体
- SnSeの熱起電力と熱電導度 : XX. 半導体
- 19L-5 SnSe, GeSeの異常ホール係数
- 19L-2 Bi_2Se_3の熱起電力
- 20F-21 Bi_2Se_3の熱伝導
- 20F-19 GeTeの電気的性質
- 9A14 Bi_2Se_3の電気的性質
- 9A6 SnTeの極低温における電氣的性質
- GeSe及びGeSe_2の電気的性質 : 半導体(実験)
- BiSe及びBi_2Se_3の電気的性質 : 半導体(実験)
- 3F14 セレニウム膜の結晶化 IV
- III. 話題 : スピン1/2三角格子反強磁性体の基底状態と相転移 (三角格子反強磁性体の相転移と秩序相)
- 2p-Q-3 三角格子強磁性体CsNiCl_3,Cs Co Cl_3の横成分秩序
- 2a-B-10 基底一重項磁性体CsFeCl_3のセントラルピーク
- 2a-B-4 三角格子反強磁性体V_Fe_xCl_2の磁性
- 17B-9 FeSexのX線的研究(II)
- 2a-E-4 NaTiO_2,LiNiO_2の中性子散乱
- 16C21. 衝撃波印加後に於ける亜酸化銅整流器の抵抗変化に就いて
- KNiF_3の磁気異方性 : 磁性(化合物および核の磁性)
- 20F-20 SnSeの電気的性質(續報)
- 3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
- 9A16 GeSeの電気的性質(II)
- 9A15 SnSeの熱起電力
- 4p-L-5 Siの高温熱処理
- 4p-L-3 Ni doped Siの電気的性質 (II)
- 酸化タングステンの電氣的性質
- 磁性研究30年の道程 : 低次元磁性体で何を見たか
- IV. まとめ及び将来への展望
- 6. 亞酸化銅の電氣的性質 (第七報)
- 5. 酸化ニツケル半導體について
- 170 亞鉛化銅の電氣的性質V電媒常數の測定(第2囘(昭和22年度)年會)
- 3. 酸化アルミニウムに關する電氣的破壊
- 8. 電解液整流器の整流特性(第2囘 九州支部例會)
- 三角格子反強磁性体(実験)(磁性体における新しいタイプの相転移現象,研究会報告)
- 2p-Q-7 三角格子AF系VX_2の相転移
- 2a-E-7 三角格子反強磁性体LiNiO_2の磁化
- 2a-E-5 三角格子AF・LiNiO_2の比熱・帯磁率
- 2a-E-3 S=1/2の三角格子反強磁性体:NaTiO_2およびLiNiO_2
- 三角格子反強磁性体 VX_2 (X≡Cl, Br, I) の基底状態
- 三角格子ハイゼンベルグ反強磁性体VX_2の磁性(第一回研究会 報告書「ランダム系の秩序化」,秩序化過程における協力と乱れ-その動力学的研究-)
- 1a-KM-5 三角格子反強磁性体VBr_2の秩序相におけるESR
- 8p-M-2 Sbを不純物として添加したSnSeの電気的性質 II
- 半導体の熱伝導
- 3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
- 16C18. 金属整流器の逆方向交流特性
- 7. 半導體亞硫化銅の結晶構造 : 高温X線カメラのよる測定
- Neutron Inelastic Scattering Study of LiNiO_2:a Candidate for the Spin Quantum Liquid
- 15C15. 酸化カドミウムの電氣的性貭について(二)
- 11. 沃化銅の電氣的性質 (第1回九洲支部例會)
- 17B-10 FeSex單結晶の磁性
- 16C12. Se整流器の零バイアス抵抗の温度依存性について
- まえがき (三角格子反強磁性体の相転移と秩序相)
- 20G-20 MnTeの磁氣異方性
- 5E14 軍結晶製作用電気炉の試作
- 16C7. Diffusion potentialの温度依存性について
- 鉱石検波器出力のBiasによる変化
- 固体のバンド構造の実験的研究
- 半導体実験
- 3F11 結晶の電気傳導及びホール効果のテンソル現象論
- 11E-14 GeSeの電気的性質(半導体)
- 2D18 セレン化錫の電気的性質について(2D 半導体 一般)
- 30.I.8 セレニウム整流器の劣化現象(半導体)
- 30.I.10 セレニウム膜の結晶化(半導体)
- 11E-25 ZnSe及びZnTeの電気的並びに光学的性質について(半導体)
- 2.I.12 PbZrO_3の誘電率に対する圧力の影響
- 30.I.11 金属整流器の破壊(半導体)
- 29A-2 SnSeの電気的性質(III)(誘導体)