岡崎 篤義 | 九大理
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概要
関連著者
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岡崎 篤義
九大理
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岡崎 篤義
九大理学部
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朝鍋 静生
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松倉 保夫
九大理
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森口 嘉郎
久留米大学
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坪田 弘
九大二分校
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鈴木 弘道
九大二分校
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山本 隆一
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古賀 裕
久留米大物理
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鈴木 弘道
九大教養
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九大教養
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福岡工業大学教養部物理学教室
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久留米大学
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電試
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横矢 定行
九大理
著作論文
- 8p-M-4 Bi_2Se_3の電流磁場効果
- 8p-M-3 タリウム・セレナイドの電気的性質
- SbをドープしたSnSeの電気的性質 : XX. 半導体
- SnSeの熱起電力と熱電導度 : XX. 半導体
- 19L-5 SnSe, GeSeの異常ホール係数
- 19L-2 Bi_2Se_3の熱起電力
- 20F-21 Bi_2Se_3の熱伝導
- 9A14 Bi_2Se_3の電気的性質
- GeSe及びGeSe_2の電気的性質 : 半導体(実験)
- BiSe及びBi_2Se_3の電気的性質 : 半導体(実験)
- 3F14 セレニウム膜の結晶化 IV
- 16C21. 衝撃波印加後に於ける亜酸化銅整流器の抵抗変化に就いて
- 20F-20 SnSeの電気的性質(續報)
- 3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
- 9A16 GeSeの電気的性質(II)
- 9A15 SnSeの熱起電力
- 8p-M-2 Sbを不純物として添加したSnSeの電気的性質 II
- 半導体の熱伝導
- 3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
- 16C18. 金属整流器の逆方向交流特性
- 2D18 セレン化錫の電気的性質について(2D 半導体 一般)
- 30.I.8 セレニウム整流器の劣化現象(半導体)
- 30.I.10 セレニウム膜の結晶化(半導体)
- 11E-25 ZnSe及びZnTeの電気的並びに光学的性質について(半導体)
- 30.I.11 金属整流器の破壊(半導体)
- 29A-2 SnSeの電気的性質(III)(誘導体)