古賀 裕 | 久留米大物理
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概要
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著作論文
- 2a-M-2 InSeの移動度
- 30a-E-14 InSeのフォトルミネセンス
- 2p GB-5 InSeの基礎吸収端 (III)
- 31a GD-8 InSeの電気的性質
- 31a-BH-9 InSeの基礎吸収端
- n-type InSeの電気的性質
- Indium selenideの電気的性質(半導体(化合物))
- 6p-L-1 InSeの電気的性質
- 13p-A-2 InSeの電気的性貭
- 8a-M-12 InSeの電気的性質
- 19L-1 Bi_2Te_3の電気的性質
- 20F-5 CdSeのphotoeffect
- 16C21. 衝撃波印加後に於ける亜酸化銅整流器の抵抗変化に就いて