重冨 茂信 | 久留米大物理

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著作論文

• 2a-M-2 InSeの移動度
• 30a-E-14 InSeのフォトルミネセンス
• 2p GB-5 InSeの基礎吸収端 (III)
• 31a GD-8 InSeの電気的性質
• Indium selenideの電気的性質(半導体(化合物))
• 13p-A-2 InSeの電気的性貭
• 8a-M-12 InSeの電気的性質

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