11E-14 GeSeの電気的性質(半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1955-10-10
著者
関連論文
- 8p-M-4 Bi_2Se_3の電流磁場効果
- 8p-M-3 タリウム・セレナイドの電気的性質
- SbをドープしたSnSeの電気的性質 : XX. 半導体
- SnSeの熱起電力と熱電導度 : XX. 半導体
- 19L-5 SnSe, GeSeの異常ホール係数
- 19L-2 Bi_2Se_3の熱起電力
- 20F-21 Bi_2Se_3の熱伝導
- 9A14 Bi_2Se_3の電気的性質
- GeSe及びGeSe_2の電気的性質 : 半導体(実験)
- BiSe及びBi_2Se_3の電気的性質 : 半導体(実験)
- 3F14 セレニウム膜の結晶化 IV
- 16C21. 衝撃波印加後に於ける亜酸化銅整流器の抵抗変化に就いて
- 20F-20 SnSeの電気的性質(續報)
- 3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
- 9A16 GeSeの電気的性質(II)
- 9A15 SnSeの熱起電力
- 8p-M-2 Sbを不純物として添加したSnSeの電気的性質 II
- 半導体の熱伝導
- 3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
- 16C18. 金属整流器の逆方向交流特性
- 15C15. 酸化カドミウムの電氣的性貭について(二)
- 16C12. Se整流器の零バイアス抵抗の温度依存性について
- 16C7. Diffusion potentialの温度依存性について
- 11E-14 GeSeの電気的性質(半導体)
- 11E-12 InBiの電気的性質(半導体)