16C12. Se整流器の零バイアス抵抗の温度依存性について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1953-10-15
著者
関連論文
- 濃度勾配のあるn-Geの電流磁場効果(半導体(電流,磁気,歪))
- Bi_2Se_Te_xの電流磁場効果 (II) : 半導体
- 8p-M-4 Bi_2Se_3の電流磁場効果
- 8p-M-3 タリウム・セレナイドの電気的性質
- SbをドープしたSnSeの電気的性質 : XX. 半導体
- SnSeの熱起電力と熱電導度 : XX. 半導体
- 19L-5 SnSe, GeSeの異常ホール係数
- 19L-2 Bi_2Se_3の熱起電力
- 20F-21 Bi_2Se_3の熱伝導
- 9A14 Bi_2Se_3の電気的性質
- GeSe及びGeSe_2の電気的性質 : 半導体(実験)
- BiSe及びBi_2Se_3の電気的性質 : 半導体(実験)
- 3F14 セレニウム膜の結晶化 IV
- 16C21. 衝撃波印加後に於ける亜酸化銅整流器の抵抗変化に就いて
- 20F-20 SnSeの電気的性質(續報)
- 3F13 セレン化錫単結晶の電気性質について II
- 9A16 GeSeの電気的性質(II)
- 9A15 SnSeの熱起電力
- 4a-H-10 CdS,CdSeのγ線励起伝導
- 8a-M-10 CdSe單結晶の電気的性質
- 19L-7 CdSe及びZnTeの電気的性質
- 20F-4 CdSe等の薄膜をつけたSe光電池の起電力
- 10A4 CdSe膜を有するセレン整流器の交流特性
- ZnSe及びCdSeの電気的性質 : 半導体(実験)
- 8p-M-2 Sbを不純物として添加したSnSeの電気的性質 II
- 半導体の熱伝導
- 3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
- 16C18. 金属整流器の逆方向交流特性
- 15C15. 酸化カドミウムの電氣的性貭について(二)
- 5a-F-1 CdIn_2Se_4の電気的性質
- 13a-A-7 ZnTe及びZnSeの電導機構
- 不純物を添加したZnTeの電気的性質 : 半導体
- 8p-M-6 ZnTe單結晶の電気的性質
- 20F-22 ZnTeの電気的性質
- 10A3 金属間化合物と金属との接触
- 9A20 ZnTeの電気的性質
- ZnTe及びCdTeの電気的性質 : 半導体(実験)
- 16C12. Se整流器の零バイアス抵抗の温度依存性について
- 16C7. Diffusion potentialの温度依存性について
- 11E-14 GeSeの電気的性質(半導体)