濃度勾配のあるn-Geの電流磁場効果(半導体(電流,磁気,歪))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1963-10-13
著者
関連論文
- 濃度勾配のあるn-Geの電流磁場効果(半導体(電流,磁気,歪))
- Bi_2Se_Te_xの電流磁場効果 (II) : 半導体
- 4a-H-10 CdS,CdSeのγ線励起伝導
- 8a-M-10 CdSe單結晶の電気的性質
- 19L-7 CdSe及びZnTeの電気的性質
- 20F-4 CdSe等の薄膜をつけたSe光電池の起電力
- 10A4 CdSe膜を有するセレン整流器の交流特性
- ZnSe及びCdSeの電気的性質 : 半導体(実験)
- 3F15 セレンと亜鉛等の金属との接触について
- 5a-F-1 CdIn_2Se_4の電気的性質
- 13a-A-7 ZnTe及びZnSeの電導機構
- 不純物を添加したZnTeの電気的性質 : 半導体
- 8p-M-6 ZnTe單結晶の電気的性質
- 20F-22 ZnTeの電気的性質
- 10A3 金属間化合物と金属との接触
- 9A20 ZnTeの電気的性質
- ZnTe及びCdTeの電気的性質 : 半導体(実験)
- 16C12. Se整流器の零バイアス抵抗の温度依存性について