27aWR-7 In_2S_3ナノ粒子の粒径制御と光触媒物性(微粒子・クラスタ)(領域9)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
DP-139-8 X線造影剤として開発したナノサイズヨウ化銀ビーズ体内動態の検討(第107回日本外科学会定期学術集会)
-
ガドリニウムナノ粒子を用いた新規MRI造影剤の基礎的検討
-
新規ナノサイズヨウ化銀ビーズを用いたX線センチネルリンパ節生検の検討2(第105回日本外科学会定期学術集会)
-
PS-166-1 新規ナノサイズヨウ化銀ビーズを用いたセンチネルリンパ節生検の検討
-
SF-063-1 蛍光ビーズを用いたセンチネルリンパ節生検法の検討
-
酸化セリウムナノ結晶のサイズ効果
-
CeO_ナノ結晶のXPSスペクトルとモデル計算
-
22pPSB-31 第一原理による(CdSe)_クラスターの光吸収スペクトル計算(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30pYB-3 Si電極を用いた水素発生と表面状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
25aYM-10 電子照射によるシリコン中の水素・アクセプター対の消滅(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
-
室温での高保磁力達成を目指した結晶成長アシストプロセスによるコバルトフェライトナノ粒子の合成
-
原子数をそろえた1nm半導体粒子の特徴と展望
-
27pXC-11 ポーラスSi表面の光電気化学反応と貴金属微粒子の吸着効果(結晶成長・微粒子,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
26pPSB-30 構成原子数まで揃った1nm-CdSeナノ粒子の成長に伴う発光強度の顕著な増大(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
29pTE-6 NMRを用いた1nm台(CdSe)_nナノ粒子の異なるnに対する構造解析(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aXB-6 単一表面サイトからなる中空な(CdSe)_nナノ粒子(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
23pXK-3 (CdSe)nナノ粒子の構造と光物性(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pTG-7 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pTG-8 NMRによる(CdSe)_粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
17aRF-17 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 I : 実験
-
20pTG-3 Si結晶電極による水素発生過程の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20pTG-4 In_2S_3ナノ粒子の光電気化学特性(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
B-4 ナノチューブの臨界張力の測定(分科B:「実験開発」)
-
Fe_3O_4ナノ粒子のサイズ選別と磁気特性
-
水熱処理法を用いた多層ナノチューブの精製
-
C_ ダイマーの合成と分離
-
半導体クラスターのサイズ制御法
-
27aWR-7 In_2S_3ナノ粒子の粒径制御と光触媒物性(微粒子・クラスタ)(領域9)
-
27aWR-6 安定なII-VI族半導体ナノ粒子、(CdSe)_,(CdSe)_の大量合成と構造解析(微粒子・クラスタ)(領域9)
-
30pPSA-43 フルオレンの単結晶及び単一分子の電子状態
-
30pPSA-42 ビチオフェンとターチオフェンの単結晶及び単一分子の電子状態
-
無重力ガスアーク放電による単層炭素ナノチューブの効率的合成
-
電気化学的手法による薄膜光触媒の作成と光反応プロセス
-
20pTD-2 無対流ガスアークによる単層炭素ナノチューブの効率的合成
-
クラスター素材の特徴と応用
-
26a-M-9 共鳴ラマン散乱による単層ナノチューブの金属/半導体状態の判別
-
31p-ZG-7 ZnOエピタキシャル薄膜のポンプ・プローブ分光II
-
24pYH-11 NMRによる(CdSe)_の解析と構造の特徴(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28aXJ-4 X線とNMRによる(CdSe)_nナノ粒子の解析(28aXJ 微粒子・クラスタ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
室温での高保磁力達成を目指した結晶成長アシストプロセスによるコバルトフェライトナノ粒子の合成
-
26pBB-7 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
19aFE-2 Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程(19aFE 表面界面構造・水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
18pFN-3 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク