31p-BF-8 外場による構造変化の変調X線回折による検出-LiTaO_3
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
高分解能X線用撮像管の試作
-
3-17 高分解能X線用撮像管の開発
-
2p-C-10 CdSの転位と螢光スペクトル
-
2)X線サチコンによるGaAsの融解過程のその場観察(テレビジョン電子装置研究会(第133回))
-
X線サチコンによるGaAsの融解過程のその場観察
-
非晶質シリコン薄膜のX線照射による結晶化
-
27p-L-4 放射光X線トポグラフィ装置 I : 設計・製作・立上げと運転
-
X線HARP : 情報入力,情報ディスプレイ
-
シンクロトロン放射光によるシリコン結晶化技術の開発
-
27p-L-7 放射光X線トポグラフィ装置 IV : 高温におけるトポグラフ
-
27p-L-5 放射光X線トポグラフィ装置 II : TVカメラ
-
2a-NR-3 GaAsの結合電荷とその電場によるふるまい一変調X線回折法
-
3a-M-9 GaAs の電場による構造変化
-
31p-BF-8 外場による構造変化の変調X線回折による検出-LiTaO_3
-
5p-L-3 外場によるイオン変位の変調X線回折による検出-LiNbO_3
-
11p-T-7 Cr 反強磁性磁区のX線テレビによる観察 II
-
9p-D-4 X線テレビによるCr反強磁性体磁区の観察
-
5p-E-5 Si(222)禁制反射強度の温度変化
-
テレビ撮像技術のX線回折への応用
-
2p-TG-5 X線顕微回折による微小格子欠陥の検出法
-
表面障壁形Siビジコン
-
8p-N-5 Si単結晶中の転位の発生と運動
-
禁制反射によるトポグラフィー : X線・粒子線
-
X線顕微回折像におよぼす特性X線の波長のひろがりの影響 : X線・粒子線
-
BeOの双晶境界のX線顕微回折像 : X線粒子線
-
X線テレビを用いた顕微回折方法 : X線粒子線
-
X線照射による固相エピタキシャル成長
-
X線励起結晶成長 : シンポジウムIII
-
In-Situ X-Ray Observation of Melting Processes of Gallium Arsenide Crystals
-
Interface Structure and Solute Trapping in Rapid Crystal Growth of Silicon and Germanium from the Laser-Induced Melt
-
高速結晶成長--半導体のレ-ザ-アニ-リング
-
ゲルマニウムのレーザーアニールによる不純物偏析 : 基礎
-
ガリウム砒素のレーザーアニール : 基礎
-
CdS単結晶の転位による光学的性質 : 光物性・イオン結晶
-
X線テレビ
-
W. R. Wilcox編: Preparation and Properties of Solid State Materials, Vol. 2; Chemical Vapor Transport, Secondary Nucleation, and Mass Transfer in Crystal Growth, Marcel Dekker, New York and Basel, 1976, xiii+173ページ, 23.5×16cm, $ 22.50.
-
10p-Z-9 X線トポグラフィー
-
7p-S-8 半導体完全結晶の成長
-
4a-T-8 X線その場観察による結晶成長の研究
-
3p-F-3 X線回折顕微法(運動転位の観察)
-
4p-P-3 Si単結晶の成長帯のX線像 II
-
1p-E-2 Si 単結晶の成長機構と成長層の X 線像
-
1p-E-1 Si 単結晶の酸化熱処理で発生する転位ループ
-
強力回転対陰極X線発生装置
-
X線サチコン撮像管
-
2a-A-4 CoS_2の結晶歪
-
CdSの刃状転位のまわりのX線干渉縞 : X線・粒子線
-
国際フォーラム「映像の明日をひらく青色発光」報告
-
カーボン小特集にあたって(カーボン)
-
GaAsのノンストイキオメトリーとデバイス特性
-
X線テレビによる回折像の迅速観察
-
X線結晶モアレ像(CdS) : X線・粒子線
-
外場によるミクロ構造の変化--変調X線回折法による測定
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク