4a-T-8 X線その場観察による結晶成長の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-03-15
著者
関連論文
- 昇華法によるCdS単結晶の成長 : 転位密度の低い結晶(技術者のために : 第XXXI回 結晶成長(14))
- 5p-B-5 雰囲気熱処理CdS単結晶の光電特性
- 4p-O-6 CdS平板結晶の転位構造と成長機構
- CdS吸収端の光学的性質 : 光物性
- 6a-B-2 CdS板状單結晶の結晶成長
- 2p-C-10 CdSの転位と螢光スペクトル
- 27p-L-4 放射光X線トポグラフィ装置 I : 設計・製作・立上げと運転
- 2a GK-7 原子の挙動の動的観察
- 4a-B5-3 高次反射によるセクショントポグラフ法とその応用
- 27p-L-5 放射光X線トポグラフィ装置 II : TVカメラ
- 31p-BF-8 外場による構造変化の変調X線回折による検出-LiTaO_3
- 5p-L-3 外場によるイオン変位の変調X線回折による検出-LiNbO_3
- 11p-T-7 Cr 反強磁性磁区のX線テレビによる観察 II
- 9p-D-4 X線テレビによるCr反強磁性体磁区の観察
- 5p-E-5 Si(222)禁制反射強度の温度変化
- テレビ撮像技術のX線回折への応用
- 2p-TG-5 X線顕微回折による微小格子欠陥の検出法
- 8p-N-5 Si単結晶中の転位の発生と運動
- 禁制反射によるトポグラフィー : X線・粒子線
- X線顕微回折像におよぼす特性X線の波長のひろがりの影響 : X線・粒子線
- BeOの双晶境界のX線顕微回折像 : X線粒子線
- X線テレビを用いた顕微回折方法 : X線粒子線
- シリコンの融液成長 : 討論会 : Growth and Characterization of Silicon Crystals
- ゲルマニウムのレーザーアニールによる不純物偏析 : 基礎
- ガリウム砒素のレーザーアニール : 基礎
- CdS単結晶の転位による光学的性質 : 光物性・イオン結晶
- BendしたCsA単結晶の光学的性質 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
- X線テレビ
- W. R. Wilcox編: Preparation and Properties of Solid State Materials, Vol. 2; Chemical Vapor Transport, Secondary Nucleation, and Mass Transfer in Crystal Growth, Marcel Dekker, New York and Basel, 1976, xiii+173ページ, 23.5×16cm, $ 22.50.
- 10p-Z-9 X線トポグラフィー
- 不純物分布からみた融液成長の界面構造 : 融液成長
- 7p-S-8 半導体完全結晶の成長
- 海外における放射光利用計画および現状 : ―DESY―
- 融液成長における界面構造と転位の導入機構 : SiのX線その場觀察
- 4a-T-8 X線その場観察による結晶成長の研究
- 半導体デバイス検査へのX線トポグラフィの応用
- 3p-F-3 X線回折顕微法(運動転位の観察)
- 4p-P-3 Si単結晶の成長帯のX線像 II
- 1p-E-2 Si 単結晶の成長機構と成長層の X 線像
- 1p-E-1 Si 単結晶の酸化熱処理で発生する転位ループ
- 半導体結晶のトポグラフィ
- CdSの刃状転位のまわりのX線干渉縞 : X線・粒子線
- BentしたCdSのルミネッセンス(III) : イオン結晶・光物性
- X線結晶モアレ像(CdS) : X線・粒子線
- CdS 中の転位の符号
- CdS中の転位のX線顕微回折像 : 粒子線・X線
- 9p-K-9 転位のバーガーズ・ベクトルの向きのX線による決定
- CdS単結晶中の転位ループ(X線)
- CdS単結晶中の面欠陥(電子線)