原子線・分子線(<特集>表面物性 II. 表面を探る)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-02-05
著者
関連論文
- 25pZ-10 CVD法で作製したダイヤモンド薄膜成長のAFM、RHEDD観察
- 2a-YF-5 CVD法で作製したダイヤモンド薄膜のAFM,RHEED観察
- 24pPSA-51 窒素イオンビームによる室温Si(100)表面の窒化反応
- 高温エチレンビームとSi(100)表面の反応
- 5p-B-5 高温エチレン分子ビームによるSi(001)表面での炭化膜形成過程のRHEED観察
- 窒素イオンビームとアンモニアビームによるシリコン窒化膜形成機構の相違
- 分子ビ-ムおよびイオン・ビ-ムを用いた表面過程の研究
- 氷薄膜/Pt(111)表面におけるアンモニアの吸着と溶解
- アルミニウム表面の窒化反応
- 29pPSA-24 エチレンガスによるSi(100)炭化反応表面のRHEEDによる解析
- 5p-W-4 低エネルギーNe^+ビーム衝撃によるSi表面からのイオン散乱と二次粒子放出
- 分子線を用いて表面を探る : -吸着・脱着・反応のメカニズム-
- シリコン表面の炭化反応
- シリコン表面への炭素系ガスの吸着
- Si(100)表面におけるアンモニアの吸着確率
- 表面における分子線散乱
- 表面反応研究のための分子線装置と複合表面分析装置の結合
- モレキュラービーム計測
- 27p-PSA-23 低エネルギーイオン衝撃によるO吸着Be表面からの反跳粒子のイオンフラクション
- マグネトロンスパッタ法で蒸着したBNおよびB4C膜のXPS分析
- 28a-E-1 低エネルギーイオン衝撃によるO吸着Al表面からの反跳粒子のイオンフラクション
- 24p-P-8 低エネルギー重イオン : 分子衝突におけるエネルギー移動過程
- 25p-PS-39 Si(100), (111)表面とO_2ビームとの反応によるSiO生成
- 4a-PS-11 低エネルギーNe^+イオンビーム衝撃によるH_2O吸着Si(100)表面からのイオン散乱と二次粒子放出
- 29a-P-4 低エネルギーイオン衝撃による金属表面からの二次イオン放出
- 5a-PS-2 超イオン伝導体からの熱イオン放射
- 3a-E3-11 イオン一分子衝突における角運動量移行過程(多重衝突効果)
- 28p-I-2 低エネルギーLi^+-N_2衝突における電子励起過程
- 29a-P-3 分子線の表面散乱実験I
- 31p-S-5 Li^+-CO衝突でのサイトに依存した電子励起過程
- 28p-I-1 Na^+-N_2衝突での大角散乱における運動量移行
- 5a-S-1 K-NH_3の微分散乱
- 原子線・分子線(表面物性 II. 表面を探る)
- 白金-タングステン(8%)表面上のカリウム原子の滞在時間の測定--分子線飛行時間解析のための基礎実験
- 低エネルギーイオンビーム装置による二次イオン放出の研究
- 27p-C-11 Cu(001)上でのN^+とN^+_2イオンの散乱角度分布
- 3a-S-4 Cu(100)上でのN^+_2低速イオンビームの散乱
- C2H2ビ-ムを用いたSi(100)表面の炭化反応に関する研究
- 分子線(フォノン)測定 (単原子層の測定)
- 超高真空用ステッピングモーターの開発
- 表面研究用UHV分子線装置の試作
- 30a-J-3 低エネルギーイオンビームによる化学発光,NH^+(B^2△→X^2N)
- 分子線スペクトロスコピー
- 1a-G2-4 F++CO系の電荷移行反応に関するポテンシャル計算(原子・分子)
- 2p-K3-2 アルミノケイ酸塩からの熱イオン放射(表面・界面)
- 28a-R-2 イオン-分子衝突における電子励起過程 : 古典軌道法による解析(28aR 原子・分子)