1a-G2-4 F++CO系の電荷移行反応に関するポテンシャル計算(原子・分子)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1988-03-31
著者
関連論文
- 25pZ-10 CVD法で作製したダイヤモンド薄膜成長のAFM、RHEDD観察
- 2a-YF-5 CVD法で作製したダイヤモンド薄膜のAFM,RHEED観察
- 24pPSA-51 窒素イオンビームによる室温Si(100)表面の窒化反応
- 5p-B-5 高温エチレン分子ビームによるSi(001)表面での炭化膜形成過程のRHEED観察
- 29pPSA-24 エチレンガスによるSi(100)炭化反応表面のRHEEDによる解析
- 5p-W-4 低エネルギーNe^+ビーム衝撃によるSi表面からのイオン散乱と二次粒子放出
- Si(100)表面におけるアンモニアの吸着確率
- 27p-PSA-23 低エネルギーイオン衝撃によるO吸着Be表面からの反跳粒子のイオンフラクション
- 28a-E-1 低エネルギーイオン衝撃によるO吸着Al表面からの反跳粒子のイオンフラクション
- 24p-P-8 低エネルギー重イオン : 分子衝突におけるエネルギー移動過程
- 25p-PS-39 Si(100), (111)表面とO_2ビームとの反応によるSiO生成
- 4a-PS-11 低エネルギーNe^+イオンビーム衝撃によるH_2O吸着Si(100)表面からのイオン散乱と二次粒子放出
- 5a-PS-2 超イオン伝導体からの熱イオン放射
- 3a-E3-11 イオン一分子衝突における角運動量移行過程(多重衝突効果)
- 28p-I-2 低エネルギーLi^+-N_2衝突における電子励起過程
- 29a-P-3 分子線の表面散乱実験I
- 31p-S-5 Li^+-CO衝突でのサイトに依存した電子励起過程
- 28p-I-1 Na^+-N_2衝突での大角散乱における運動量移行
- 5a-S-1 K-NH_3の微分散乱
- 原子線・分子線(表面物性 II. 表面を探る)
- 27p-C-11 Cu(001)上でのN^+とN^+_2イオンの散乱角度分布
- 3a-S-4 Cu(100)上でのN^+_2低速イオンビームの散乱
- 30a-J-3 低エネルギーイオンビームによる化学発光,NH^+(B^2△→X^2N)
- 分子線スペクトロスコピー
- 1a-G2-4 F++CO系の電荷移行反応に関するポテンシャル計算(原子・分子)
- 2p-K3-2 アルミノケイ酸塩からの熱イオン放射(表面・界面)
- 28a-R-2 イオン-分子衝突における電子励起過程 : 古典軌道法による解析(28aR 原子・分子)