年会分科会の講演プログラム編成
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Siの低温照射とその回復 : 格子欠陥
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R.G. Rhodes: Imperfections and Active Centres in Semiconductors, Pergamon Press. Oxford, 1964, 373頁, 23×15cm, \5,400.
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Radiation Damage in Solids I.A.E.A. 1962, Vol. 1, 384頁, 2,800円, Vol. 2, 289頁, 2,400円, Vol. 3, 183頁, 15×23cm, 1,600円
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H. M. Rosenberg: Low Temperature Solid State Physics, Oxford, Clarendon Press, 1963,420頁, 16×24cm, 3,780円.
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年会分科会の講演プログラム編成
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Ge,Siの電場加熱伝導(半導体(不純物伝導))
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Mechanical Behavior of Crystalline Solids, Proceedings of an American Ceramic Society Symposium, April, 1962. NBS, Monograph, 59, $1.75 113頁, March 1963.
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結晶成長(技術者のために : 第XVIII回)
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Selected Constants Relative to Semi-Conductors, p.65, 2,400円, Pergamon Press. 1961.
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H.G.Van Bueren; Imperfections in crystals (1960), p.676. North-Holland Publlshing. Co. \6,050.-
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Geの拡張転位 : 半導体(実験)
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W. D. Lawson, S. Nielsen: Preparation of Single Crystals. Butterworths Scientific Pub. London. 1958, 255頁, 22.5×14.5cm, 45s
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30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)
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