塑性・金属実験
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概要
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日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
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半導体をめぐって
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塑性・金属実験
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6E11 欠陷の形成
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会誌の表紙変更について
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Journalの頁増とアート紙使用について
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参加費の徴集について
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Siに於ける空孔と酸素の相互作用 : 格子欠陥
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小林秋男先生を送る
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おわりに(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
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Siの低温照射とその回復 : 格子欠陥
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R.G. Rhodes: Imperfections and Active Centres in Semiconductors, Pergamon Press. Oxford, 1964, 373頁, 23×15cm, \5,400.
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Radiation Damage in Solids I.A.E.A. 1962, Vol. 1, 384頁, 2,800円, Vol. 2, 289頁, 2,400円, Vol. 3, 183頁, 15×23cm, 1,600円
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H. M. Rosenberg: Low Temperature Solid State Physics, Oxford, Clarendon Press, 1963,420頁, 16×24cm, 3,780円.
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年会分科会の講演プログラム編成
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Ge,Siの電場加熱伝導(半導体(不純物伝導))
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Mechanical Behavior of Crystalline Solids, Proceedings of an American Ceramic Society Symposium, April, 1962. NBS, Monograph, 59, $1.75 113頁, March 1963.
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結晶成長(技術者のために : 第XVIII回)
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Selected Constants Relative to Semi-Conductors, p.65, 2,400円, Pergamon Press. 1961.
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H.G.Van Bueren; Imperfections in crystals (1960), p.676. North-Holland Publlshing. Co. \6,050.-
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2p-M-2 半導体の磁気抵抗効果
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赤外線高温計
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InSbの熱処理 : 格子欠陥
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7p-L-14 SiliconのOhmic Contact
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γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
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3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
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W. D. Lawson, S. Nielsen: Preparation of Single Crystals. Butterworths Scientific Pub. London. 1958, 255頁, 22.5×14.5cm, 45s
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28A-3 体心立方格子金属の拡散機構(金属)
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