R.G. Rhodes: Imperfections and Active Centres in Semiconductors, Pergamon Press. Oxford, 1964, 373頁, 23×15cm, \5,400.

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-01-05

著者

• 松浦 悦之

  昭和42年度出版委員

• 松浦 悦之

  東大工

• 松浦 悦之

  出版委員

関連論文

• 日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
• 半導体をめぐって
• 塑性・金属実験
• 会誌の表紙変更について
• 20C-27 重陽子照射によるGeの腐食孔
• 20C-26 重陽子照射によるGeの電気的性貭
• 17K-18 重陽子照射を行つたゲルマニウムの性質
• Geのlifetimeの温度依存性 : 半導体(実験)
• Journalの頁増とアート紙使用について
• 参加費の徴集について
• Siに於ける空孔と酸素の相互作用 : 格子欠陥
• 小林秋男先生を送る
• おわりに(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
• Siの低温照射とその回復 : 格子欠陥
• R.G. Rhodes: Imperfections and Active Centres in Semiconductors, Pergamon Press. Oxford, 1964, 373頁, 23×15cm, \5,400.
• Radiation Damage in Solids I.A.E.A. 1962, Vol. 1, 384頁, 2,800円, Vol. 2, 289頁, 2,400円, Vol. 3, 183頁, 15×23cm, 1,600円
• H. M. Rosenberg: Low Temperature Solid State Physics, Oxford, Clarendon Press, 1963,420頁, 16×24cm, 3,780円.
• 年会分科会の講演プログラム編成
• Ge,Siの電場加熱伝導(半導体(不純物伝導))
• Mechanical Behavior of Crystalline Solids, Proceedings of an American Ceramic Society Symposium, April, 1962. NBS, Monograph, 59, $1.75 113頁, March 1963.
• 結晶成長(技術者のために : 第XVIII回)
• Selected Constants Relative to Semi-Conductors, p.65, 2,400円, Pergamon Press. 1961.
• H.G.Van Bueren; Imperfections in crystals (1960), p.676. North-Holland Publlshing. Co. \6,050.-
• 2p-M-2 半導体の磁気抵抗効果
• 赤外線高温計
• InSbの熱処理 : 格子欠陥
• 7p-L-14 SiliconのOhmic Contact
• γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
• 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
• ノクトビジョン
• 半導体の放射線損傷
• Siの転位 : XX. 半導体
• 20C-25 異種原子接合面における放射線損傷の理論
• 6E14 半導体の放射線損傷
• 18K-7 Ge結晶粒界の電子現象の実験
• Geの拡張転位 : 半導体(実験)
• W. D. Lawson, S. Nielsen: Preparation of Single Crystals. Butterworths Scientific Pub. London. 1958, 255頁, 22.5×14.5cm, 45s
• 30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク