20aTC-4 フラストレーション系 TbXAl (X=Ni, Pd) の巨大磁気抵抗効果
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
端 健二郎
物質・材料研究機構ナノ計測センター
-
北澤 英明
物質・材料研究機構
-
江口 幸恵
CREST-JST
-
木戸 義勇
物質・材料研究機構
-
端 健次郎
物・材機構
-
間宮 広明
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
古林 孝夫
Nims
-
古林 孝夫
物質・材料研究機構
-
間宮 広明
物材機構
-
間宮 広明
金材技研
-
間宮 広明
筑波大物理
-
間宮 広明
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研
-
間宮 広明
物質・材料研究機構
-
端 健二郎
物質・材料研究機構:CREST
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