NaH_3(SeO_3)_2及びNaD_3(SeO_3)_2のX線的研究 : 誘電体
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
3p-GD-1 SnCl_22H_2Oの誘電分散の多分散度
-
29a-PS-38 ESDIADによるW(111)上へのNO, O_2 の吸着機構の研究
-
28p-PSB-9 ESDIADによるW(100)上のNOの吸着
-
13a-PS-37 Pt(111)表面上へのNOの吸着
-
5a-PS-51 PL(310)表面上へのNOの吸着
-
6p-T-12 AES, UPS, XPSによる単結晶Pt表面上へのNO吸着
-
3a-C4-5 XPS-UPSによるPd(111)上へのNOの吸着
-
26p-O-11 TDS-FEMによるPtおよびPd表面上へのNOの吸着の研究
-
26p-O-10 AES・UPS・XPSによるMo(110)表面上へのNO吸着の研究
-
27a-D-4 電子衝撃脱離法によるMo及びW単結晶表面上へのNOの吸着
-
27a-D-3 UPS・XPSによるPd表面上へのNO吸着の研究
-
2p-S-1 W(110)表面上へのNOの吸着
-
2a-E-9 Mo表面上へのNOの吸着
-
金属表面上のガスの吸着状態
-
1a-SC-6 単斜晶及び正方晶RbD_2PO_4の圧力効果
-
5p-PS-72 YBa_Sr_xCu_3O_yの組成による電子構造の変化
-
28p-PS-13 XPS・UPSによるRa_2YCu_3O_yの高温特性
-
30aPS-26 Si(001)4×2-Ga構造のSTMと第一原理計算による研究(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
21aPS-31 Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
15aPS-44 Si(001)-8xn-Ga(n=4, 5, 6) クラスター内部構造の水素暴露による研究(領域 9)
-
20aPS-33 Si(100)8×5-Ga 構造形成過程の STM 観察
-
27a-PS-34 ESDIADによるMo(111)表面上へのNO吸着状態の観察
-
27a-PS-33 Pd(112)表面のテラスとステップに吸着したNOの電子状態
-
ラジカルビームソースを用いたZnO薄膜の合成
-
2p-NB-6 RbD_2PO_4のX線的研究
-
5p-F-7 AgNa(NO_2)_2のX線的研究
-
3a-GD-1 Cu (HCOO)_2・4H_2OのX線的研究
-
12p-K-2 硫安の双晶の発生機構
-
4a-AA-3 〔(ND_4)_3D(SO_4)_2〕_x〔(NH_4)_3H(SO_4)_2〕_系のx-p-T相図
-
27p-PSA-19 Pt(110), (210)表面上へのNOの吸着
-
4a-F-10 AgNa(NO_2)_2の低温異常
-
3p-GD-3 亜セレン酸系誘電体のX線及び熱的研究
-
NaH_3(SeO_3)_2及びNaD_3(SeO_3)_2のX線的研究 II : 誘電体
-
NaH_3(SeO_3)_2及びNaD_3(SeO_3)_2のX線的研究 : 誘電体
-
14a-Q-4 NaH_3(SeO_3)_2とNaD_3(SeO_3)_2の熱的性質(II)
-
5a-H-10 NaH_3(SeO_3)_2とNaD_3(SeO_3)_2の熱的性質
-
14p-Q-2 コレマナイト・蟻酸銅の誘電緩和
-
K_4Fe(CN)_6・3H_2Oの高周波誘電率 : 誘電体
-
NaH_3(SeO_3)_2のマイクロ波誘電率 : 誘電体
-
3p-GD-6 亜セレン酸系強誘電体の同位元素効果
-
NaNH_4SO_4・2H_2Oの分域構造 : 誘電体
-
Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
-
10p-K-9 CsPbCl_3 と CsPbBr_3の異常比熱
-
明ばん系強誘電体の誘電分散II : 誘電体
-
6pPSB-36 走査型トンネル顕微鏡(STM)によるSi(100)表面のGa薄膜の構造解析(表面界面結晶成長,領域9)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク