塩化水素-水素系に依る気相腐食法 : 結晶生長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1964-03-31
著者
関連論文
- Impurty Distrubution in Si Epitaxial Film(I) : 半導体 : 気相成長
- GaAsの赤外吸収 : 応用半導体
- Si中不純物の拡散係数の濃度依存症について : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- Determination of Impurity Profiles in Shallow Diffused Layers
- 誘電体分離ウェファの赤外線反射率 : 半導体(光学特性)
- 塩化水素-水素系に依る気相腐食法 : 結晶生長
- 酸化膜を利用したSiliconの気相成長 : 結晶生長
- MOS構造による不純物濃度分布 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- SiH_4の熱分解によるSiの気相成長 : 半導体 : 気相成長
- Impurty Distrubution in Si Epitaxial Film(II) : 半導体 : 気相成長
- シリコン気相成長層の表面欠陥 : 半導体 : 気相成長
- 47 溶融鉄合金の水素溶解度および黒鉛の水素吸着 : 純鉄, 鉄-炭素, 鉄-ケイ素, 鉄-炭素-ケイ素系合金, 黒鉛(製鋼基礎, 日本鉄鋼協会第 70 回(秋季)講演大会講演論文集 (I))