Impurty Distrubution in Si Epitaxial Film(I) : 半導体 : 気相成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-04-06
著者
-
阿部 敏雄
東芝 半導体技術部
-
佐藤 幹郎
東芝半導体技術部
-
佐藤 幹郎
東京芝浦電気k.k. 半導体技術部
-
阿部 敏雄
東京芝浦電気K.K. 半導体技術部
-
大井 昇
東京芝浦電気K.K. 中央研究所
関連論文
- ショットキーダイオードの点応力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- Metal-Siの接触抵抗 (II) : 半導体 (表面)
- Metal-Siの接触抵抗 (I) : 半導体 (表面)
- 化学蒸着SiO_2-Si界面の研究 : 半導体 (表面)
- Doped-oxideを用いたSiへの不純物拡散 (II) : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- Doped-oxideを用いたSiへの不純物拡散 (I) : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- V-n-type-si Schottky Junction : 半導体(ダイオード)
- Impurty Distrubution in Si Epitaxial Film(I) : 半導体 : 気相成長
- GaAsの赤外吸収 : 応用半導体
- Si中不純物の拡散係数の濃度依存症について : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- Determination of Impurity Profiles in Shallow Diffused Layers
- 誘電体分離ウェファの赤外線反射率 : 半導体(光学特性)
- 塩化水素-水素系に依る気相腐食法 : 結晶生長
- 酸化膜を利用したSiliconの気相成長 : 結晶生長