10A14 Geの固有表面準位の測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1957-04-09

著者

• 川路 紳治

  北海道大学触媒研究所

• 小林 秋男

  通研

• 小林 秋男

  北海道大学触媒研究所

関連論文

• 不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果(p-型ゲルマニウム) : 半導体(Si, Ge)
• 7a-A-2 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 : P-型Ge
• Geの不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果 II : 磁場依存性 : 半導体
• Geの不純物伝導におけるピエブ抵抗効果 I. : 補償度依存性 : 半導体
• 4p-L-6 不純物伝導領域におけるピエゾ抵抗効果
• 10p-A-6 Geの不純物伝導領域におけるピエゾ磁気抵抗効果
• イオン衝撃及び焼俣しによるゲルマニウム表面の格子欠陥 : 半導体
• イオン衝撃による清浄Ge表面の伝導 : 半導体
• 9a-M-5 Geの表面伝導
• もし自分が大学院学生であったなら
• 10分間講演を有効にするために
• 半導体をめぐって
• 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
• 年会,分科会のあり方について(2)
• Ge P-N接合のピエゾ抵抗効果 : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)
• pn接合のピエゾ素子 : 半導体における歪効果シンポジウム
• 19F-14 清浄ゲルマニウム表面のslow stateとfast state,表面再結合速度
• 10A14 Geの固有表面準位の測定
• SiP-N JunctionのGeneration-Recombination Center II : 半導体 : ダイオード
• 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
• 空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 6a-F-5 Si P-N JunctionのDeep Trap Level
• Siの表面再結合中心とその電気的性質II : 半導体(表面, 理論)
• Siの表面再結合中心とその電気的性質I : 半導体(表面, 理論)
• 20L-20 Geの表面伝導
• 半導体実験(昭和39年度における各専門分野研究活動の展望)
• PbTeの熱処理効果II : 半導体(化合物)
• PbTeの熱処理効果(半導体(化合物))
• PbTeに於ける圧力効果(II)(半導体(電流,磁気,歪))
• 8p-A-4 PbTeの電気的性質に対する圧力効果
• 4p-L-7 Elasto caloric Effect in Many Valley Semiconductors
• 半導体に関する問題点(表面関係)
• Werner Espe: Werkstoffkunde der Hoch vakuumtechnik. Bd. II, Silikatwerkstoffe., VED Deutscher Verlag der Wissenschaften, 1960, 730頁, 16×24cm.
• 植村泰忠・菊地 誠: 半導体の理論と応用(上), 副題; その半世紀の歩み, 物理学選書6, 裳華房, 1960, 485頁, A5判, 680円
• 創意と工夫を (物性物理学への招待)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク