Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1966-10-12

著者

• 佐々木 勲

  東芝総研

• 武石 喜幸

  東芝総研

• 武石 喜幸

  東芝中研

• 佐々木 勲

  東芝中研

関連論文

• 4a-TC-5 Si,Ge,GaAs表面の安定構造(LEED)
• Si, Ge, GaAs{311}表面の超構造 : 半導体 (表面)
• Bi清浄表面の超構造IV (211),(411) : 半導体(界面, 半金属)
• 12a-K-4 LEED by Si on a clean Ge(III)
• Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面
• Siの低速電子線回折II(吸着Taによる超格子) : 半導体 : 結晶成長
• 5p-F-2 O_2/Siの低速電子線回折(I)
• 稀ガスイオンによる二次電子放射測定装置 : 放電
• 9a-B-16 Si MOS反転層内キャリヤのドリフト速度
• 4p-K-10 Si表面反転層の電子移動度 III
• Si反転層のキャリア移動度の異方性 : 半導体
• GaAsショットキ・ダイオードのI-V特性 : 半導体 (表面)
• 2a-H-3 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes III
• 12a-K-15 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes(II)
• 3a-G-6 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes I
• 超LSI開発技術と界面(表面物性 III. 表面物性の周辺)
• 集積回路の開発と物理学科出身研究者
• L. H. Germer 死す
• 9a-B-17 Si-MOS反転層内キャリヤの移動度異方性
• 8p-B-3 SiMOS反転層内キャリヤ移動度の異方性
• D. R. Frankl: Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, Oxford, 1967, 310頁, 16×24cm, 5,040円.
• 12a-K-13 SiO_2/GaAs界面の性質
• Si, Ge清浄表面の原子配列
• ガス吸着構造の研究 : X線粒子線シンポジウム
• グラファイト・へき開面の構造解析 : X線粒子線シンポジウム
• Siによる低速電子線回折III : (111)表面における原子配列 : 半導体(表面)
• 低速電子線回折による結晶表面構造解析I : X線粒子線
• 低速電子線回折による表面構造の研究 : X線粒子線特別講演
• Si表面の諸性質 : 半導体シンポジウム
• 金属,半導体の清浄表面

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク