佐々木 勲 | 東芝総研

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著作論文

• 4a-TC-5 Si,Ge,GaAs表面の安定構造(LEED)
• Si, Ge, GaAs{311}表面の超構造 : 半導体 (表面)
• Bi清浄表面の超構造IV (211),(411) : 半導体(界面, 半金属)
• 12a-K-4 LEED by Si on a clean Ge(III)
• Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面
• Siの低速電子線回折II(吸着Taによる超格子) : 半導体 : 結晶成長
• 5p-F-2 O_2/Siの低速電子線回折(I)
• 稀ガスイオンによる二次電子放射測定装置 : 放電

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