武石 喜幸 | 東芝中研

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概要

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著作論文

• Si, Ge, GaAs{311}表面の超構造 : 半導体 (表面)
• 12a-K-4 LEED by Si on a clean Ge(III)
• Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面
• Siの低速電子線回折II(吸着Taによる超格子) : 半導体 : 結晶成長
• 5p-F-2 O_2/Siの低速電子線回折(I)
• Si反転層のキャリア移動度の異方性 : 半導体
• GaAsショットキ・ダイオードのI-V特性 : 半導体 (表面)
• 2a-H-3 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes III
• 12a-K-15 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes(II)
• 3a-G-6 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes I
• D. R. Frankl: Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, Oxford, 1967, 310頁, 16×24cm, 5,040円.
• 12a-K-13 SiO_2/GaAs界面の性質
• Si, Ge清浄表面の原子配列
• ガス吸着構造の研究 : X線粒子線シンポジウム
• グラファイト・へき開面の構造解析 : X線粒子線シンポジウム
• Siによる低速電子線回折III : (111)表面における原子配列 : 半導体(表面)
• 低速電子線回折による結晶表面構造解析I : X線粒子線
• 低速電子線回折による表面構造の研究 : X線粒子線特別講演
• Si表面の諸性質 : 半導体シンポジウム
• 金属,半導体の清浄表面

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