武石 喜幸 | 東芝総研
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概要
関連著者
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武石 喜幸
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武石 喜幸
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平林 莞爾
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武石 喜幸
東芝 総研
著作論文
- Si, Ge, GaAs{311}表面の超構造 : 半導体 (表面)
- 12a-K-4 LEED by Si on a clean Ge(III)
- Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面
- Siの低速電子線回折II(吸着Taによる超格子) : 半導体 : 結晶成長
- 5p-F-2 O_2/Siの低速電子線回折(I)
- 稀ガスイオンによる二次電子放射測定装置 : 放電
- 9a-B-16 Si MOS反転層内キャリヤのドリフト速度
- 4p-K-10 Si表面反転層の電子移動度 III
- Si反転層のキャリア移動度の異方性 : 半導体
- GaAsショットキ・ダイオードのI-V特性 : 半導体 (表面)
- 2a-H-3 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes III
- 12a-K-15 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes(II)
- 3a-G-6 Metal-n-GaAs Schottky Barrier Diodes I
- 超LSI開発技術と界面(表面物性 III. 表面物性の周辺)
- 集積回路の開発と物理学科出身研究者
- L. H. Germer 死す
- 9a-B-17 Si-MOS反転層内キャリヤの移動度異方性
- 8p-B-3 SiMOS反転層内キャリヤ移動度の異方性
- D. R. Frankl: Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, Oxford, 1967, 310頁, 16×24cm, 5,040円.
- 12a-K-13 SiO_2/GaAs界面の性質
- Si, Ge清浄表面の原子配列
- ガス吸着構造の研究 : X線粒子線シンポジウム
- グラファイト・へき開面の構造解析 : X線粒子線シンポジウム
- Siによる低速電子線回折III : (111)表面における原子配列 : 半導体(表面)
- 低速電子線回折による結晶表面構造解析I : X線粒子線
- 低速電子線回折による表面構造の研究 : X線粒子線特別講演
- Si表面の諸性質 : 半導体シンポジウム
- 金属,半導体の清浄表面