Bi清浄表面の超構造IV (211),(411) : 半導体(界面, 半金属)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-10-13
著者
関連論文
- 4a-TC-5 Si,Ge,GaAs表面の安定構造(LEED)
- Si, Ge, GaAs{311}表面の超構造 : 半導体 (表面)
- Bi清浄表面の超構造IV (211),(411) : 半導体(界面, 半金属)
- 12a-K-4 LEED by Si on a clean Ge(III)
- Si(III)清浮表面の酸素吸着 : 低速電子線回折 : 半導体 : 結晶,表面
- Siの低速電子線回折II(吸着Taによる超格子) : 半導体 : 結晶成長
- 5p-F-2 O_2/Siの低速電子線回折(I)
- 稀ガスイオンによる二次電子放射測定装置 : 放電
- Si反転層のキャリア移動度の異方性 : 半導体
- 12a-K-13 SiO_2/GaAs界面の性質
- Si, Ge清浄表面の原子配列
- グラファイト・へき開面の構造解析 : X線粒子線シンポジウム
- Siによる低速電子線回折III : (111)表面における原子配列 : 半導体(表面)
- 低速電子線回折による結晶表面構造解析I : X線粒子線
- 2a-N-4 金属-半導体,及び金属-絶縁体の界面障壁
- 3a-E-10 低速電子回折の強度解析II
- 3a-TG-4 低速電子回折強度の入射角依存性
- IV 族半導体の2次元表面バンド : 半導体
- 5a-G-1 低速電子回折における共鳴効果(1次元格子による多重散乱)