3a-A-9 p-Si中ホットキャリアの異常な磁場効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 小宮山 進

  東大教養

• 木村 亨

  東大教養

関連論文

• 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
• 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探求
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 26p-P-12 ポテンシャル障壁による分布反転生成と非線形伝導
• 強磁場下2次元電子系のエッジ状態間の散乱(I)
• 強磁場下2次元電子系のエッヂ状態間の散乱(II)
• 31a-Z-3 エッチ非平衡分布のフォノン自然放出による緩和
• 4a-C-13 エッジ非平衡分布の温度依存性
• 4a-C-12 エッヂ非平衡分布存在下での実験結果の解析
• 4a-C-4 2次元電子系の電荷密度不均一による線形磁気抵抗
• 31a-Y-8 p-Ge遠赤外レーザーの発振特性の解析
• 5p-C-13 p-Geに於けるサイクロトロン共鳴域での遠赤外レーザー発振 II
• 28p-G-3 p-Geに於ける遠赤外レーザー発振の偏光特性とファラデー効果
• 28p-A-13 P-Ge遠赤外レーザー発振に対する一軸性応力効果
• 28p-A-12 P-Ge遠赤外レーザー発振の偏光特性
• 28p-A-11 P-Ge遠赤外レーザ光の分光特性
• 31p GD-4 高電場, 強磁場内で特有なポーラロンの伝導現象 [V]
• 4p-M-2 高電場、強磁場内で特有なポーラロンの伝導現象〔IV〕
• 6p-B-4 高電場、強磁場内で特有なポーラロンの伝導現象III
• 5p-U-10 高電場、強磁場内で特有なポーラロンの伝導現象II
• 12p-F-3 高電場, 強磁場内で特有なポーロランの伝導現象 (AgBr, AgCl)
• 28p-G-2 Ge中の重い正孔の負の有効質量によるミリ波発振
• 27a-M-12 Voigt配置でのp-Ge遠赤外レーザー発振
• 30a-C-12 ラメラー格子によるp型ゲルマニウム遠赤外レーザーの単一波長発振と波長選択
• 28p-D-3 Voigt配置でのp-Ge遠赤外レーザーの偏光特性
• エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 28p-X-6 エッジ状態間散乱の温度、及び、磁場依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 29a-L-4 量子ホール効果状態における遠赤外域光伝導
• 29a-L-3 量子ホール効果降伏電流の異常な試料幅依存性
• 29p-T-11 量子ホール効果デバイスでの雑音測定
• 30p-N-9 量子ホール効果の試料長さ依存性
• 27p-P-3 強磁場下2次元電子系のSdH振動に現れる非線形性
• 30p-M-12 p型ゲルマニウム遠赤外レーザーの機械的同調による発振
• 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 28p-X-4 量子ホール効果Breakdown現象における顕著な非局所性
• 6a-ZB-10 反応性蒸着法によるNd-Ce-Cu-O系薄膜の合成
• 28p-PS-46 酸化物超伝導体の探索の不成功例
• 4a-C-7 Si-MOSFETにおける量子ホール効果状態のbreakdown現象
• 6a-A2-5 整数量子ホール効果における電気伝導特性 : フィリングファクター変化の影響
• 3p-F-11 量子ホール効果に対する有限電場の効果 IV
• 3p-A-10 量子ホール効果に対する有限電場の効果II
• 3p-A-9 量子ホール効果に対する有限電場の効果I
• 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 28p-X-8 量子ホール効果デバイスにおける電流注入
• 4a-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 4p-J-10 量子ホール効果デバイスでの雑音測定II
• 29p-X-7 2次元電子系の非局所性SdH振動 (III)
• 28a-C-9 2次元電子系の非局所性Sdh振動(II)
• 26a-ZB-13 2次元電子系の非局所性SdH振動
• 6a-A2-6 微細ゲートを持つAlGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果II
• 30a-A-4 YBCO1層膜におけるKosterlitz-Thouless転移
• 27p-APS-79 高温超伝導超薄膜及び超格子の磁場中輸送現象
• 27p-PS-134 YBCO超薄膜およびYBCO/PrBCO超格子の磁場中抵抗移転移
• 27p-PS-50 YBa_2Cu_3O_7超薄膜の超伝導
• 28p-G-1 p-Geの強いマイクロ波電場下での高調波発生と正孔のバンチング
• 3a-A-8 直交した電場・磁場下のホットキャリヤによるサイクロトロン共鳴III
• 3a-A-7 直交した電場・磁場下のホットキャリヤによるサイクロトロン共鳴II
• 1a-KC-9 直交した電場・磁場下のホットキャリヤによるサイクロン共鳴
• 27p-PS-118 単結晶YBa_2Cu_3O_のホール効果における超伝導ゆらぎとノーマル状態でのホール効果II
• 単結晶YBa_2C_3O_のホール効果における超伝導ゆらぎとノーマル状態でのホール効果
• 31p-TA-10 YBa_2Cu_3O_単結晶のT_c近傍でのHall効果における超伝導ゆらぎ
• 6a-PS-31 YBa_2Cu_3O_単結晶薄膜の磁気抵抗
• 4a-WB-11 ストリーミングしている担体からの高調波発生
• 4a-WB-10 ストリーミングしている担体のバンチング効果
• 4p-LT-2 高電場、強磁場内でのポーラロンの伝導現象とサイクロトロン共鳴
• 4a-LT-12 Streaming Cyclotron Motion of Hot Polarons at Intense Microwave Fields in AgBr[II]
• 4a-LT-11 Streaming Cyclotron Motion of Hot Polarons at Intense Microwave Fields in AgBr[I]
• 11a-P-8 高電場下AgClにおける異常伝導の出現 : 正孔伝導の可能性
• 3a-A-6 直交した電場磁場下のホットキャリヤからの遠赤外光放出III
• 14a-E-20 直交した電場,磁場下の熱い担体からの遠赤外光放出
• 28p-A-18 ストリーミングしている担体からの2次高調波発生
• 6a-PS-32 YBa_2Cu_3O_焼結体試料のTc以上での磁気抵抗
• エッジ状態エネルギー分散関係の実験的探究
• 量子ホール効果状態におけるエッジ状態の位相干渉性
• 量子ホール効果状態間遷移領域における非弾性散乱長の絶対的決定
• 31a-YA-3 量子ホール効果状態における位相可干渉性の探求
• 4a-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
• 4p-J-9 量子ホール効果状態での電流分布
• 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
• 29a-L-2 量子ホール効果状態でのエッジ電流とバルク電流の比率
• 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• 28a-X-2 量子ホール効果状態における遠赤外線光応答
• 4a-C-11 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (II)
• 4a-C-10 強磁場下2次元電子系における端子の役割 (I)
• 3a-A-9 p-Si中ホットキャリアの異常な磁場効果
• 2p-L1-7 整数量子ホール効果における負微分伝導(半導体,(表面・界面・超格子))
• 1a-L2-8 ストリーミング運動におけるサブハーモニック共鳴(半導体,(輸送現象))
• 30a-FC-3 強磁場下の二次元電流不安定性(30a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 31p-PS-150 YBa2Cu3O7-δ単結晶薄膜のTc以上での磁気抵抗の異方性(31p PS 低温(酸化物超伝導))
• 30p-G-3 IQHEに対するEdge Currentと後方散乱の影響,及び電圧端子の役割(30pG 半導体シンポジウム:量子ホール効果の現状)
• 28p-G-2 整数量子ホール効果状態のbreakdown現象 : 試料依存性(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 28p-G-5 量子ホール効果に対する非平衡担体注入の効果(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 1p-D2-2 量子ホール効果に対する有限電場の効果III(1p D2 半導体(表面界面・超格子・MOS・擬一次元・磁性半導体),半導体)
• 30p-FB-12 P型ゲルマニウムからの高出力遠赤外誘導放出(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 3a-D1-9 直交した電場磁場下のホットキャリアからの遠赤外光放出IV(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
• 2p-L1-6 微細ゲートをもつAIGaAs-GaAsヘテロ構造素子における量子ホール効果(半導体,(表面・界面・超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク