12a-T-4 Fe-Niインバー合金のスピングラス
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2a-SD-3 非晶質(Fe_Ni_x)_Si_B_合金の磁気緩和
-
プレーナ配置式スパッタリング法によるMnSbエピタキシャル薄膜の作製 : エピタキシャル成長に及ぼす基板温度ならびに基板バイアスの効果
-
金属キレート錯体Alq_3の磁性と伝導特性
-
有機無機層状ペロブスカイト錯体の磁性と光学特性
-
有機アミン-3d遷移金属錯体の磁性と光学特性
-
Ni_Fe_Co/N(N=Ta, Al)/Al-oxide/Co接合における磁気抵抗効果
-
Ni-Fe/Co/Al-O/Co接合におけるTMRのプラズマ酸化時間及びAl膜厚依存性
-
FIBによるサブミクロンMTJの作製プロセス
-
集束イオンビームを用いた微小強磁性トンネル接合の作製
-
異なる酸化条件により作製したTME素子のIETS
-
スピンバルブ型トンネル接合のマグノン非弾性励起
-
Fe_Ni_インバー合金のリエントラントスピングラス(D.リエントラント転移とフラストレーション,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
-
超急冷薄帯Cu_Fe_X合金のスピン・グラス(B.金属スピングラス,基研短期研究会「スピングラスとその周辺」,研究会報告)
-
3a-PS-7 超急冷薄帯Cu-Fe合金のスピン・グラスII
-
2a-PS-6 溶湯急冷したFe-Ni合金の内部歪と熱膨張特性
-
4a-KM-12 スピングラスCu_Mn_の磁場誘導磁気異方性
-
622. 全日本放送陸上上位入賞者の追跡研究
-
Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
-
スパッタリング法によるCo_2MnAlエピタキシャル薄膜の作製
-
下部強磁性電極の結晶性と強磁性トンネル接合のバイアス電圧依存性
-
下部電極をエピタキシャル成長させた強磁性トンネル接合の局所伝導特性
-
11a-C-15 スピン波共鳴によるフェノンの励起
-
6p-A-3 強磁性薄膜の電気抵抗
-
2a-LD-5 h.C.p.Coにおけるバブル磁壁構造
-
31a-LC-10 非晶質Ni-B合金の構造
-
CO-NH_3ガスを用いた磁性薄膜のドライエッチング
-
29a-PS-27 Co-Nd非晶質蒸着薄膜の磁性
-
29a-PS-25 Fe-Nd非晶質蒸着膜の磁性
-
30p-K-3 FeNi合金のインバー組成付近のスピン波共鳴 I
-
ホイスラー系合金Co_2MnAlを用いた強磁性トンネル接合
-
12a-T-17 非晶質(Fe_Ni_x)_Si_B_合金のスピングラス II
-
12a-T-4 Fe-Niインバー合金のスピングラス
-
28a-SB-30 非晶質(Fe_Ni_x)_Si_B_合金のスピングラス
-
MTJに用いる Synthetic ferrimagnet フリー層の熱安定性
-
2p-R-9 非晶質Fe-B合金の結晶化によるMossbauer Spectrumの変化
-
31p GN-13 非晶質Fe_B_およびFe_P_合金のMossbauer効果の温度変化
-
11p-Z-14 低温蒸着Ni膜の電気抵抗と磁性
-
Coナノ微粒子を含むトンネル接合の TMRとクーロンブロッケード
-
強磁性体二重トンネル接合による超伝導体へのスピン注入
-
強磁性体//超伝導体//強磁性体二重接合の磁気抵抗効果
-
トンネルスピン分極率の強磁性層作製条件依存性
-
Al/Al-oxide/ 強磁性体接合のトンネルコンダクタンス特性
-
3p-AH-8 Co合金の圧延及び磁場中冷却による誘導磁気異方性
-
10a-C-6 h.c.p Co-Ni合金単結晶の磁気異方性の温度変化(I)
-
24p-R-4 CoおよびCo-Ni合金単結晶の磁性の圧延効果
-
4p-P-11 CoおよびCo-Ni合金単結晶の磁性の圧延効果
-
30a-PS-8 Ni-Fe-Co/Cu/Co/Cu多層膜における磁気抵抗の温度依存性
-
30a-PS-6 Fe/Cr人工格子薄膜の磁気抵抗効果
-
1a GN-12 0.8wt%Fe-Cu合金の磁性
-
磁性ナノ粒子のカプセル化とその磁気特性
-
中間層を超伝導体とする二重トンネル接合の磁気抵抗効果
-
中間層にAlを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果
-
プラズマ酸化法による低抵抗強磁性トンネル接合の作製
-
TMR素子における絶縁層/強磁性層界面の評価と伝導特性
-
強磁性トンネル接合における絶縁層の酸化過程
-
強磁性トンネル接合の絶縁障壁とスピン依存伝導
-
強磁性トンネル接合のスピン依存局所伝導特性
-
トンネル分光法を用いたスピン分極率測定
-
TMR素子の高速磁化反転測定
-
Cu/Ni_Fe_/N(N=Cu, Cu/Pt)薄膜におけるFMR線幅とスピン拡散長
-
金属ナノ細線をハードマスクに用いた強磁性単一電子素子の作製と特性評価
-
Al_2O_3(0001)基板上のエピタキシャルトンネル接合のバイアス電圧依存性
-
多層膜中の強磁性薄膜における動的磁化過程
-
高速磁化反転測定のための埋め込みコプレナーガイドの作製
-
サイドエッジ薄膜堆積法を用いた微小二重強磁性トンネル接合の作製
-
スピンダイナミクスの電気的および光学的アプローチ
-
TMR素子の動的磁化反転過程の測定
-
高耐熱・高耐電圧強磁性トンネル接合の作製
-
電子線リソグラフィを用いたナノメーターサイズTMR素子の作製
-
TMR素子における極薄Alプラズマ酸化膜の特性
-
様々な酸化方法で作製した強磁性トンネル接合
-
Ni_Fe_薄膜における磁気緩和
-
29a-U1-9 Co/Nd人工格子薄膜の磁性
-
強磁性トンネル接合用Al酸化膜の局所伝導
-
極薄Alプラズマ酸下膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
-
12p-PS-37 溶湯急冷Fe-Ni合金の熱膨張と電気抵抗
-
8a-A-10 コバルトの磁化曲線 I
-
Ni_Fe_薄膜における強磁性共鳴線幅の下地層依存性
-
Co, 80NiFe薄膜における強磁性共鳴の膜厚依存性
-
8p-G-4 Ni単結晶の圧延効果
-
1a-B-10 Ni単結晶の圧廷効果
-
6a-L-5 磁気-光効果の磁化依存性
-
1a-GB-4 鉄-ニッケル合金の冷間圧延による磁性の変化
-
29a-PS-10 (Fe_M_x)_Si_B_(M=Mn, Sm), Fe_Sm_xアモルファス合金のスピングラス
-
29a-PS-2 非晶質Co-R (R=Pr, Nd, Sm, Gd, Dy, Er)合金系の低温磁性
-
31a-D3-11 超急冷薄帯Cu-Fe合金のスピン・グラス(31a D3 磁性(スピングラス))
-
14p-S-1 h.c.p.Co単結晶の磁区構造の温度変化
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク