14a-DE-10 CdTe/CdMnTe量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1993-09-20

著者

• 安藤 功兒

  電総研

• 秋永 広幸

  融合研

• 足立 智

  北大院・工

• 嶽山 正二郎

  姫路工大・理

• 足立 智

  姫路工大・理

• 高木 芳弘

  姫路工大・理

• 安藤 功児

  電総研

関連論文

• Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性IV
• Fe/MgF_2多層膜の磁性と光特性II
• 5p-F-11 MnTe:Sb系薄膜の作製と磁気光学効果
• GaAs基板上のCd_Mn_Xte磁気光学導波路におけるTE-TMモード変換
• GaAs基板上の低光伝播損失Cd_Mn_xTe光導波路
• III-V族希薄磁性半導体Ga1-xMnxAsの構造と電子状態 (特集 材料科学)
• 28p-YN-5 CdTe/CdMnTe量子井戸薄膜における量子準位と3d多重項状態間のエネルギー緩和
• GaAs中に形成したサブミクロンMnAs強磁性微粒子
• A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
• 日本応用磁気学会光スピニクス特別専門研究会(第18回光スピニクス専門研究会)「最近のレーザー技術と磁性研究」
• 30a-PS-27 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性II
• 31p-YH-9 Ni系希薄磁性半導体の磁気光学スペクトル
• 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_xTe の合成と評価
• III-V族ベースの磁性半導体格子(Ga_Mn_x)As/AlAs
• 強磁性希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの電子状態
• 6a-PS-129 遷移金属/絶縁体薄膜の光磁気特性
• 8a-E-14 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsの磁気円二色性
• 8a-E-11 希薄磁性半導体Ga_Mn_xAsのX線吸収微細構造による局所構造解析
• レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価 (磁気光学・光磁気記録)
• 30p-R-10 新しい希薄磁性半導体(Zn, Ni)Teの合成とそのp-d交換相互作用の評価
• Cd_Mn_xTe薄膜の分光エリプソメトリー
• 半導体基板上へのCd_Mn_xTe薄膜の成長と光導波特性
• A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
• 高真空レーザ蒸着によるFePt合金薄膜の成長
• レーザーアブレーション法によるBaフェライト薄膜の作製
• 23aE-11 トンネル磁気抵抗効果のバイアス依存性と温度依存性
• Al_2O_3反応性蒸着による強磁性トンネル接合の作製
• 高光透過率Fe/MgF_2多層膜の磁気・光学的性質
• A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
• A. K. Zveadin and V. A. Kotpw, Modern Magnetiooptical and Magnetooptical Materials Institute of Physica Pubrishing, Bristol and Philadelphia, 1997, x+viii+368p., 24×16.5cm, \30,970 [大学院向・専門書]
• 23pSB-3 酸化物希薄磁性半導体Zn_TM_xO(TM:遷移金属)の磁気光学スペクトル
• 28aTB-6 新III-V 族希薄磁性半導体Ga_Cr_xAsの伝導特性
• 22aK-6 (Ga,Mn)AsのΛ点における磁気光学スペクトル
• 22aK-3 Crイオンを含むIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Cr)Asの合成と評価
• 遷移金属イオンを含むGaAsの合成と評価 -III-V族新希薄磁性半導体の合成の試み-
• 2p-X-5 CdTe/Cd_Mn_xTe量子井戸中の励起子における縮退四光波混合の磁場効果
• 30a-Z-2 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子の超高速ダイナミクス磁気光物性
• 31p-YL-4 Cd_Mn_xTe/CdTe多重量子井戸における励起子スピン緩和の超高速分光
• 29a-ZE-13 希薄磁性半導体量子構造での励起子分子
• 28p-YN-4 スピネル磁性半導体における光誘起磁化-II : 励起エネルギー及び励起強度依存性
• 28p-YN-1 希薄磁性非対称量子井戸での非対称励起子磁気ポーラロン空間分岐と磁気発光
• 27a-YN-2 (Cd,Mn)Te/CdTe/(Cd,Mg)Te量子井戸における励起子緩和I
• 31p-YH-13 磁性半導体CdCr_2S_4単結晶におけるキュリー温度近傍での光誘起磁化増強効果
• 29p-R-11 CdTe/Cd_Mn_x Te-SQW中の励起子自由磁気ポーラロン II
• CdCr_2Se_4結晶における光誘起磁壁振動
• 縮退四光波混合による励起子分子束縛エネルギーの測定
• GaAs量子井戸におけるスピン緩和機構II
• フェムト秒パルスによる時間分解分光
• 31p-Y-6 CdTe薄膜における励起子の超高速緩和過程の測定
• 3a-X-4 GaAs量子井戸におけるスピン緩和機構
• (YNd)_3Fe_5O_膜の複屈折 : 評価
• (Ynd)_3Fe_5O_膜のLPE成長 : フラックス成長
• 30p-W-14 分子線エピタキシー法によるMn_2Sb薄膜の作製とその特性評価
• MnSb薄膜の作製及びその磁気光学効果の基板依存性
• 29a-PS-57 MnSb薄膜の作製とその磁気光学効果
• 28a-YQ-11 Surface Structure of the first few Monolayers of Fe deposited at Room Temperature on GaAs (100) Substrates
• 14a-DE-9 時間分解発光測定によるCdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の物性評価
• 23pE-9 微細加工された強磁性細線の偏光顕微鏡による観察
• 微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動II マイクロマグネティックスシミュレーション
• 微細加工された強磁性細線の磁区と磁壁の運動1 偏光顕微鏡による観察
• 30a-N-13 CdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の強磁場吸収スペクトル
• 29pYB-3 超薄バリア層のトンネル磁気抵抗効果
• 28a-YQ-9 ZnSeの2P励起子の微細構造II
• 4a-G-7 ZnSe2p励起子の微細構造
• Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
• Nd:GGG膜のLPE成長とその光学的性質
• レーザー蒸着法によるLa-Bi-Sr-Mn-O薄膜の電気伝導特性
• 量子井戸構造におけるMn^d-d遷移
• 27a-ZL-8 YBa_2Cu_3O_薄膜の磁気円二色性
• 27p-W-5 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜のMCDスペクトル
• 2p-X-20 Cd_Mn_xTe薄膜のMCDスペクトル(II)
• 28a-ZL-9 磁性体の磁気光学効果を用いた超伝導薄膜の磁束密度分布の観察
• Ru^置換GCCにおける磁気光学効果
• 28a-K-8 CdMnTe, MnTeのd励起状態の不均一幅
• 28a-K-3 Zn-Cr-Te系薄膜の作製と磁気光学特性
• 反応多元イオンビ-ム技術の評価--イオンビ-ムを利用した新材料の成長制御 (超先端加工システムの研究開発)
• 14a-DE-15 MnTeのd-d発光 I
• 14a-DE-10 CdTe/CdMnTe量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和II
• 14a-DE-7 CdTe/MnTe量子井戸の磁気光スペクトル
• 30a-N-14 閃亜鉛鉱型MnTe薄膜の磁気光学効果
• 30p-X-4 Cd_Mn_XTe系超格子の磁気円二色性スペクトル
• 27p-C-7 Cd_Mn_xTe薄膜における磁気円二色性の温度依存性
• Cd_Mn_XTe薄膜光導波路の光学損失
• 31p GM-5 Fe_Cu_xCr_2S_4のXPSおよびメスバウアースペクトル
• レーザーアブレーション法によるCd_Mn_xTe微粒子の作製
• レーザアニール処理された磁性ガーネット薄膜の走査型プローブ顕微鏡による評価
• 27a-ZH-14 閃亜鉛鉱型MnTeの光吸収端の磁気的ブルーシフトの計算
• 30a-Z-17 磁気光学効果によるCr系新希薄磁性半導体の評価
• 4a-AH-10 トラベリングヒータ法によるCdCr_2Se_4単結晶成長II
• 3a-AG-7 Fe_yCr_2S_4(y
• 31p-LD-14 Fe_Cu_xCr_2S_4系の電気伝導におけるFe^およびFe^イオンの寄与
• 2p-X-4 CdTe/Cd_Mn_xTe界面における拡散と磁気光学効果
• 30a-Z-7 Zn_Mn_xSe系における非平衡相の作製とその磁気光学特性
• Cr系希薄磁性半導体の磁気光学効果
• 1p-P-12 Cd(S,Se)量子ドットの磁気円二色性スペクトル
• 10a-D-3 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果(II)
• 10a-D-1 クラックス法によるCdCr_2Se_4の単結晶成長
• 5p-F-15 Fe_Cu_xCr_2S_4系の熱起電力の雰囲気熱処理効果
• 1p-F-2 ICB法によるCd_Mn_xTe薄膜のMCDスペクトル
• 5p-F-14 Fe_Cu_xCr_2S_4の磁気抵抗効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク