28p-N-1 半導体およびセラミックスの粒界・界面の理論計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
関連論文
- 窒化ケイ素セラミックスの電気的接合
- 27pYC-13 SiC中のΣ=9粒界の原子・電子構造 : 第一原理計算と電子顕微鏡観察の比較
- 29pPSA-15 ルチル型TiO_2(110)面の電子構造
- 24pPSA-41 TiO_2の結晶構造と電子状態 : Au/TiO_2界面に向けて
- β-SiC中対応粒界の原子構造と電子構造
- 1I04 CVD 炭化ケイ素中の結晶粒界の原子配列 : 理論計算と高分解能電顕観察との比較
- 24pYL-4 sic粒界の極性界面の構造とエネルギー : ノンストイキオメトリックな界面の第一原理計算
- β-SiC中のΣ=9,27粒界の構造解析
- 28a-ZA-9 SiC中の結晶粒界の原子構造 : 理論計算と高分解能電子顕微鏡観察との比較
- メモリー節約型 Broyden 法による電子状態計算の高速化
- Neumann 展開前処理によって高速化した Davidson 法とその電子状態計算への応用
- 30p-YF-7 反復法による擬ポテンシャル生成についてII
- 8a-YJ-10 反復法による擬ポテンシャル生成について
- 27aYC-7 第一原理計算による粒界・界面の構造と性質の解明
- 327 第一原理計算による炭化ケイ素対応粒界の強度評価
- 22pYS-12 SiC粒界の極性界面の強度と破壊 : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス粒界のアモルファス的な構造-Clarke モデルをめぐって-
- 27p-T-15 SiCの結晶粒界の第一原理引っ張り試験 : 破断過程の電子状態
- 第一原理擬ポテンシャル法によるセラミックス界面の研究
- 31p-YK-7 SiCの結晶粒界の第一原理計算IV : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス/金属界面の原子・電子構造のシミュレーション
- 7p-YH-4 SiC/Al界面の原子配列と電子構造の第一原理計算
- 7a-S-8 SiCの結晶粒界の第一原理計算III : 界面の強度計算
- 28p-E-15 SiCの結晶粒界の第一原理計算 II
- SiCの結晶粒界の第一原理計算
- 界面の電子構造計算-半導体の結晶粒界と金属/セラミックス界面-
- 1a-M-10 セラミックス界面の第一原理計算 : SiC粒界とSiC/Al界面
- 粒界・界面構造の第一原理計算
- 29a-N-10 共役勾配法によるSiC/Al界面の第一原理計算
- 28p-N-1 半導体およびセラミックスの粒界・界面の理論計算
- バンド計算手法による界面構造シミュレーション
- 金属/セラミックス界面結合の理論的研究
- 計算化学II - 無機固体材料のミクロレベルシミュレーション -
- セラミックスの電接法
- 3H20 SiC 粒界の極性界面の第一原理引っ張り試験
- 1I05 第一原理分子動力学法による炭化ケイ素粒界の強度予測
- 1D15 SiC 粒界の第一原理引っ張り試験
- 1D14 SiC/Ti 界面の第一原理計算
- 多重割線型 Broyden 法の正則化と電子状態計算への応用
- Davidson 法による電子状態計算
- β-Si_3N_4の電子状態の第一原理計算
- 21世紀の計算材料科学