香山 正憲 | 工業技術院大阪工業技術研究所
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概要
関連著者
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香山 正憲
工業技術院大阪工業技術研究所
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香山 正憲
大阪工業技術研究所材料物理部
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香山 正憲
独立行政法人 産業技術総合研究所関西センター
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香山 正憲
大阪工技研
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香山 正憲
大阪工業技術試験所
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田中 孝治
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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香山 正憲
大工試
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田中 孝治
工業技術院大阪工業技術研究所
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J Hoekstra
工業技術院 大阪工業技術研究所
著作論文
- 1I04 CVD 炭化ケイ素中の結晶粒界の原子配列 : 理論計算と高分解能電顕観察との比較
- 24pYL-4 sic粒界の極性界面の構造とエネルギー : ノンストイキオメトリックな界面の第一原理計算
- 28a-ZA-9 SiC中の結晶粒界の原子構造 : 理論計算と高分解能電子顕微鏡観察との比較
- 22pYS-12 SiC粒界の極性界面の強度と破壊 : 第一原理引っ張り試験
- 27p-T-15 SiCの結晶粒界の第一原理引っ張り試験 : 破断過程の電子状態
- 31p-YK-7 SiCの結晶粒界の第一原理計算IV : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス/金属界面の原子・電子構造のシミュレーション
- 7p-YH-4 SiC/Al界面の原子配列と電子構造の第一原理計算
- 7a-S-8 SiCの結晶粒界の第一原理計算III : 界面の強度計算
- 28p-E-15 SiCの結晶粒界の第一原理計算 II
- SiCの結晶粒界の第一原理計算
- 界面の電子構造計算-半導体の結晶粒界と金属/セラミックス界面-
- 1a-M-10 セラミックス界面の第一原理計算 : SiC粒界とSiC/Al界面
- 29a-N-10 共役勾配法によるSiC/Al界面の第一原理計算
- 28p-N-1 半導体およびセラミックスの粒界・界面の理論計算
- 金属/セラミックス界面結合の理論的研究
- 計算化学II - 無機固体材料のミクロレベルシミュレーション -
- 3H20 SiC 粒界の極性界面の第一原理引っ張り試験
- 1I05 第一原理分子動力学法による炭化ケイ素粒界の強度予測
- 1D15 SiC 粒界の第一原理引っ張り試験