香山 正憲 | 独立行政法人 産業技術総合研究所関西センター
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概要
関連著者
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香山 正憲
独立行政法人 産業技術総合研究所関西センター
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香山 正憲
大阪工業技術研究所材料物理部
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香山 正憲
大阪工技研
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香山 正憲
大阪工業技術試験所
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香山 正憲
工業技術院大阪工業技術研究所
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香山 正憲
大阪工業技術研究所
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田中 孝治
産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門
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田中 孝治
大阪工業技術研究所
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田中 孝治
工業技術院大阪工業技術研究所
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柴柳 敏哉
大阪大学接合科学研究所
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幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
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幾原 雄一
ファインセラミックスセンター:東大総研:東北大wpi
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幾原 雄一
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構マテリアル工学専攻
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幾原 雄一
東京大学総合研究機構組織委員会
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幾原 雄一
東京大学工学部
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奈賀 正明
大阪大学接合科学研究所
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幾原 雄一
東京大学大学院工学研究科総合研究機構
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香山 正憲
独立行政法人産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門ナノ材料科学研究グループ
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田中 孝治
独立行政法人 産業技術総合研究所関西センター
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J Hoekstra
工業技術院 大阪工業技術研究所
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幾原 雄一
東大 大学院工学系研究科
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香山 正憲
独立行政法人産業技術総合研究所関西センター生活環境系特別研究体ナノ界面機能科学研究グループ
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香山 正憲
産業技術総合研究所 関西センター
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RACHID B.
大阪大学大学院
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Rachid B
大阪大学大学院
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香山 正憲
産総研ユビキタス:JST-CREST
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Racbid B.
大阪大学大学院
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幾原 雄一
東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター
著作論文
- シリコンカーバイドの粒界
- β-SiC中対応粒界の原子構造と電子構造
- 24pYL-4 sic粒界の極性界面の構造とエネルギー : ノンストイキオメトリックな界面の第一原理計算
- β-SiC中のΣ=9,27粒界の構造解析
- 28a-ZA-9 SiC中の結晶粒界の原子構造 : 理論計算と高分解能電子顕微鏡観察との比較
- 27aYC-7 第一原理計算による粒界・界面の構造と性質の解明
- 327 第一原理計算による炭化ケイ素対応粒界の強度評価
- 22pYS-12 SiC粒界の極性界面の強度と破壊 : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス粒界のアモルファス的な構造-Clarke モデルをめぐって-
- 27p-T-15 SiCの結晶粒界の第一原理引っ張り試験 : 破断過程の電子状態
- 第一原理擬ポテンシャル法によるセラミックス界面の研究
- 31p-YK-7 SiCの結晶粒界の第一原理計算IV : 第一原理引っ張り試験
- セラミックス/金属界面の原子・電子構造のシミュレーション
- 7p-YH-4 SiC/Al界面の原子配列と電子構造の第一原理計算
- 7a-S-8 SiCの結晶粒界の第一原理計算III : 界面の強度計算
- 28p-E-15 SiCの結晶粒界の第一原理計算 II
- SiCの結晶粒界の第一原理計算
- 界面の電子構造計算-半導体の結晶粒界と金属/セラミックス界面-
- 1a-M-10 セラミックス界面の第一原理計算 : SiC粒界とSiC/Al界面
- 界面・粒界研究の新展開 : 企画にあたって
- 半導体の結晶粒界の原子配列と電子構造の理論的研究
- β-Si_3N_4の電子状態の第一原理計算
- 21世紀の計算材料科学