Localization in Landau Subbands with the Landau Quantum Number 0 and 1 of Si-MOS Inversion Layers

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概要

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• Quantum transport experiments of Si-MOS inversion layers have been done at fern-peratures between 50 mK and 1.45 K and in magnetic fields betweexx 14 and 23 T usingsamples having two grades of electron mobility. The Hall conductivity were analyzedemploying a model calculation to derive the temperature dependence and themagnetic field dependence of the mobility edge. At low temperatures, the mobilityedge was independent of temperature and independent of magnetic field suggestingthe mobility edge is dominated by a macroscopic potential fluctuations. The tempera-lure dependence of the mobility edge at high temperatures can not be explained by theexisting theory of Iocalization in Landau subbands in two dimensional systems andthat of the temperature dependence of the inelastic scattering in the zero magneticfield.

• 社団法人日本物理学会の論文
• 1992-05-15

著者

• KOIKE Yoji

  Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University

• Koike Yoji

  Department Applied Physics Graduate School Of Engineering Tohoku University

• Fukase Tetsuo

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Fukase Tetsuro

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Fukase Tetsuo

  Institute For Materials Reserch Tohoku University

• Goto Takayuki

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Funase Tetsuo

  Institute For Material Research Tohoku University

• WAKABAYASHI Junichi

  Department of Physics,Gakushuin University

• KAWAJI Shinji

  Department of Physics,Gakushuin University

• Goto Tsuneaki

  The Institute Of Solid State Physics Tokyo University

• Fukase T

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Fukase Tetsuo

  Institute For Material Research Tohoku University

• Kawaji Shinji

  Department Of Physics And Chemistry Gakushuin University

• Wakabayashi J

  Department Of Physics Chuo University

• Wakabayashi Junichi

  Department Of Patholgy Hakodate Goryoukaku Hospital

• Fukase Tetsuo

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• Goto Takayuki

  Institute for Material Research,Tohoku University

• WAKABAYASHI Jun-ichi

  Department of Physics, Gakushuin University

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