Band Structure of Layered Semiconductor α-In_2Se_3 by the Numerical-Basis-Set LCAO Method
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概要
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The electronic band structure of layered semiconductor α-In_2Se_3 is investigated by using the self-consistent numerical-basis-set LCAO method with a potential based on the local density approximation. The resulting energy band gap occurs between Γ^-_5 and Γ^+_1 and its value is 0.99 eV. The effective masses in conduction and valence are 0.13 m_0 and 3.2m_0, respectively. The self-consistent valence of each ion is as follows : In^<0.95+>In^<1.23+>Se^<1.52->Se^<0.54->Se^<0.12->. Thus the compound has a considerably ionic character though the interlayer bonding is found to be partly covalent from the valence electron charge distribution.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-05-15
著者
-
NAKAO Kenji
Institute of Materials Science, University of Tsukuba
-
Nakao Koichi
Department Of Physics Faculty Of Science The University Of Tokyo:the Institute For Solid State Physi
-
Nagai S
Department Of Material Science Interdisciplinary Faculty Of Science And Engineering Shimane Universi
-
Narita N
Chiba Univ. Chiba
-
Narita Nobuo
College of Industrial Technology, Nihon University
-
Nagai Sumiaki
College of Science and Technology, Nihon University
-
Saito Shigeru
College of Science and Technology, Nihon University
-
Nakao Kenji
Institute Of Materials Science University Of Tsukiba
-
Saito S
Japan Aerospace Exploration Agency
-
Nakao Kenji
Institute Of Materials Science Uneversity If Tsukuba
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