異方性エッチングされたSi(100)面のフラクタル特性の起源
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概要
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It is known that Si(100) surfaces anisotropy etched in aqueous KOH exhibit the fractal characteristics. However, the basic mechanism leading to the fractal surface morphology by etching has not been explained. Therefore, the computer simulations using a model of surface formation that is based on the chemical dissolution reactions were carried out. As a result of analyzing the produced surfaces, it was found that the fractal characteristics of the produced surfaces were similar to those of the etched Si surfaces in their time, concentration and temperature-dependent fluctuations. From the fact, it can be concluded that the randomness in the dissolution of Si atom and/or the surface attachment of etch product forms the fractal surface morphology.
- 2001-12-05
著者
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