Bi 系 2223 相酸化物超伝導体の臨界電流密度に対する銀添加の効果
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概要
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仕込み組成をBi_<1.6>Pb_<0.4>Sr_2Ca_2Cu_3O_y+xAgとしたBi系2223相酸化物超伝導体バルクを作製し, 本焼結時の溶融状態, 2223相の体積率, 及びJ_cの変化について検討を行った。中間冷間プレスを行わずに本焼結時間を50時間として銀添加量xを0∿1.6,本焼結温度T_0を835∿850℃の範囲で変化させた結果, 本焼結時に生じる液相の量の増加によって空隙が減少し, J_cが向上した。また, 中間冷間プレスと熱処理を繰り返し長時間の本焼結を行うと, 中間冷間プレスによりJ_cは大幅に増加するが, 銀を添加することによりJ_cは最大で約30%低下した。これは, 中間冷間プレスと長時間の本焼結により, 2223相の体積率が増加して結晶の配向が進み, 試料中の空隙が減少した一方で, 添加した銀粒子が2223相の電流パスを妨げたことによると考えられる。
- 山口大学の論文
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