炭素表面からの2次電子放出のモンテカルロシミュレーション
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概要
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For a plasma-surf ace interaction, the influence of an implantation of hydrogen atoms on the secondary electron emission from a carbon surface bombarded by low-energy (<2keV) electrons is investigated using a Monte Carlo simulation of transport of a primary electron and a semiempirical model of secondary electron emission. The secondary electron yield increases with increasing hydrogen concentration, i. e, the H/C ratio. This increase in H/C ratio of 0.5 agrees with that of a graphite limiter exposed to a hydrogen plasma in the JET Tokamak at low energy (<lkeV). In addition, the variation of the secondary electron yield with H2+ ion implantation fluence (1016-≫ 1018 ions/cm2) is discussed with depth profiles obtained by Moller and Scherzer [J. Appl. Phys. 64 (1988) 4860].
- 沼津工業高等専門学校の論文
- 1993-01-29
著者
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