<論文>特殊環境用電子デバイス材料の設計と作成・評価(II)
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概要
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クラスタモデルを用いて,III-V族化合物半導体混晶のフォノンスペクトルの解析と混晶の過剰自由エネルギーΔG^<ex>の計算を行った.ΔG^<ex>は,原子のランダムな配列からのずれを示すクラスタリングパラメタβの函数である.ΔG^<ex>が最小になるβの値β_sは,相対的な格子定数の差Δa/a^^^-が増加するとともに増加し,組成比xが0.5のとき最大値をとる.Partly-two modeのフォノンスペクトルを示す様な混晶において,フォノン周波数の実験値から求めたβの値β_<ph>は.やはりx=0.5で最大値を示す.(AlGa)-Vの様なTwo modeを示す混晶では,x=0.5におけるβ_sと全組成範囲におけるβ_<ph>の値はゼロである.
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