<論文>特殊環境用電子デバイス材料の設計と作成及び評価
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概要
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低温や高温などの特殊環境および宇宙環境で使用するのに適した電子デバイスの特性を最適化するために用いる三元以上の多元系化合物半導体に関し,組成とショットキー障壁の高さ,組成と電子移動度との関係など,基本的な性質に関する検討を行った.また,三元系化合物半導体のフォノンスペクトルがクラスタの影響を受けること,電子移動度低下の原因がクラスタの形成と密接に関連していること,およびフォノンスペクトルと組成の関係から,多元系化合物半導体の結晶作成の難易を予想することができることを明らかにした.
- 宇宙航空研究開発機構の論文
著者
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岸 眞人
東京大学宇宙航空所究所
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河東田 隆
東京大学宇宙航空所究所
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山崎 進
富士通研究所
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岸 眞人
東京大学宇宙航空研究所
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河東田 隆
東京大学工学部
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河東田 隆
東大 宇航研
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河東田 隆
東大工
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