基板バイアス電圧発生のためのCMOSチャージポンプ回路
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概要
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By controlling the substrate bias voltage of MOSFETs, the power reduction of VLSIs can be achieved while maintaing the switching speed of logic circuits. In this paper, we propose an efficent CMOS charge-pumping circuit to gernerate the substrate bias voltage. The output voltage of the circuit does not suffer voltage loss from the threshold voltage drop of pumping transistors. The operating characteristics of the circuit are also analyzed in detail. Further, the results obtained from these analysis are fully confirmed by experiments and simulations using the circuit analysis program H-SPICE.
- 東海大学の論文
著者
-
吉田 正廣
東海大学大学院工学研究科
-
吉田 正廣
東海大学工学部通信工学科
-
鈴木 八十二
東海大学工学部通信工学科
-
寺本 三雄
東海大学工学部通信工学科
-
鈴木 八十二
電子情報学部エレクトロニクス学科
-
鈴木 八十二
東海大学電子情報学部エレクトロニクス工学科
-
吉田 正廣
東海大学工学部
-
寺本 三雄
東海大学
-
寺本 三雄
東海大学工学部
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