7MOST・CMOS連想メモリセルの直流特性
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概要
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Recently, the utility of associative memory in a wide variety of computer systems has been recognized, and such memory systems have been experimented and realized in semiconductor technologies. In these memory systems, static MOS associative memory cells especially have the advantages of the simpler peripheral circuits, stabler storage, simpler processing technologies, lower power dissipation and smaller silicon area per bit. This paper discribes a static MOS associative memory cell using complementary transistors. Its static characteristics (memory, writing, reading and interrogation) are also analyzed in detail by using the state diagram method. The theoretical results have good coincidence with experiments.
- 東海大学の論文
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