シリコン熱酸化膜形成におけるオゾンの促進効果
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概要
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Thermal oxidation of Silicon a mixed oxygen and ozone ambient in the temperature range of 400℃-800℃ is reported. Beteen 400℃ and 600℃ a large enhancement in oxidation is observed compared with conventional oxide growth in a pure oxygen ambient. For temperature above 800℃ conventional thermal oxidation dominates and no significant enhancement is found. Effects of Ozone in short-time oxidation is more remarkable than in long-time oxidation, reflecting that surface reaction dominates in short-time oxidation.
- 愛知教育大学の論文
- 2000-03-01
著者
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