ホスフィンオキシドを有するシルセスキオキサンとユーロピウム錯体との配位型ハイブリッドの作製
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概要
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- 2010-07-25
著者
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渡辺 充
地方独立行政法人 大阪市立工業研究所
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渡辺 充
大阪市立工業研究所
-
松川 公洋
大阪市立工業研究所
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西岡 昇
大阪電気通信大学工学部電子材料工学科
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伊藤 和也
(地独)大阪市立工業研究所電子材料研究部
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渡瀬 星児
(地独)大阪市立工業研究所電子材料研究部
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渡辺 充
(地独)大阪市立工業研究所電子材料研究部
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松川 公洋
(地独)大阪市立工業研究所電子材料研究部
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松川 公洋
(地独)大阪市立工業研究所
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松川 公洋
大阪市立工業研究所 電子材料研究部
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松川 公洋
地方独立行政法人 大阪市立工業研究所 電子材料研究部ハイブリッド材料研究室
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渡瀬 星児
大阪市立工業研究所
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西岡 昇
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学専攻
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西岡 昇
大阪電気通信大・工・電子材料工
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