極薄X(X:Ni,B)層を人工ピンとして導入したMgB_2薄膜のマッチング磁場とX層間隔
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概要
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- 2009-05-13
著者
-
北口 仁
NIMS
-
土井 俊哉
鹿児島大学理工
-
北口 仁
金属材料技術研究所
-
北口 仁
物材機構
-
白樂 善則
鹿児島大学大学院理工学研究科
-
北口 仁
(独)物質・材料研究機構
-
北口 仁
(独)物質・材料研究機構超伝導材料研究センター
-
北口 仁
金材研
-
高橋 健一郎
物質・材料研究機構
-
高橋 健一郎
物材機構
-
白樂 善則
鹿児島大学工学部
-
土井 俊哉
鹿児島大学工学部
-
北口 仁
独立行政法人物質・材料研究機構超伝導材料センター
-
土井 俊哉
鹿児島大学大学院理工学研究科
-
土井 俊哉
京都大学エネルギー科学研究科
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