金表面上に高密度に形成した遷移金属ホスフィンおよびイソシアニド錯体単分子層を利用した触媒反応場の構築
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概要
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- 2009-09-10
著者
-
魚崎 浩平
北海道大学大学院理学研究科化学専攻
-
原 賢二
北海道大学触媒化学研究センター
-
秋山 龍人
北海道大学大学院理学研究院
-
梶 義規
北海道大学大学院理学研究院
-
澤村 正也
北海道大学大学院理学研究院
-
福岡 淳
北海道大学触媒化学研究センター
-
原 賢二
北海道大学大学院理学研究科
-
魚崎 浩平
北海道大学 大学院理学研究院
-
魚崎 浩平
北海道大学理学部
-
魚崎 浩平
北海道大学
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