原子間力顕微鏡による半導体表面の溶液中、電位制御下での観察 : GaAsの電気化学エッチング過程の追跡と原子像
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概要
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III-V属の化合物半導体であるヒ化ガリウム(GaAs)電極のex-situにおける化学エッチングの効果と塩酸中における電位制御下での表面構造方化をナノメーターオーダーで観察した。化学エットングでは、エッチング溶液にH_2SO_4:H_2O_2:H_2O=5:1:1およびHCl:HNO_3=1:1を使用し、エッチング溶液を浸漬する温度および時間を変化させて、構造に及ぼす効果を調べた。電極反応が起こっているその場(in-situ)観察の場合には、p-GaAsにおいて、開回路電位付近では表面構造の変化はみられなかったが、陰分極下では、表面が平坦になっていく過程が、陽分極下では、表面に台形状の構造が形成していく過程が観察できた。さらに、台形の頂上部分で(100)に対応する原子像が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-18
著者
-
魚崎 浩平
北海道大学大学院理学研究科化学専攻
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魚崎 浩平
北海道大学 大学院理学研究院
-
魚崎 浩平
北海道大学理学部
-
魚崎 浩平
北海道大学
-
鯉沼 陸央
北海道大学理学部化学科
-
鯉沼 陸央
北海道大学大学院理学研究所
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