プラズマ溶射法による酸化物半導体への第三元素の多量ドープ
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概要
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- 2008-12-10
著者
-
袖岡 賢
(独)産業技術総合研究所つくば東事業所エネルギー技術研究部門
-
井上 貴博
(独)産業技術総合研究所つくば東事業所エネルギー技術研究部門
-
鈴木 雅人
(独)産業技術総合研究所つくば東事業所エネルギー技術研究部門
-
小原 春彦
産業技術総合研究所
-
鈴木 雅人
産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
-
小原 春彦
電子技術総合研究所
-
袖岡 賢
産業技術総合研究所
-
鈴木 雅人
産業技術総合研
-
井上 貴博
産業技術総合研究所
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